Исследованы стационарные температурные поля, возникающие при взаимодействии электронного зонда с образцом GaN. Для расчета плотности генерации тепла проведено моделирование процесса потери энергии электронами по методу Монте-Карло. Предложена аппроксимация формы области генерации тепла полуэллипсоидом. Для случая равномерной генерации тепла в объеме эллипсоида получено аналитическое решение задачи теплопроводности в элементарных функциях. Показано, что влияние формы области генерации на максимальную температуру перегрева и распределение поля температур мало. Аппроксимация плотности тепловых источников однородным распределением в полусфере с радиусом, равным полному пробегу электронов, приводит к значительной недооценке максимальной температуры перегрева. Предложено выражение для выбора характерного размера области генерации тепла в GaN, обеспечивающее 3% точность определения максимальной температуры перегрева в широком диапазоне энергий электронного пучка. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18109).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.