Особенности профилей распределения по глубине ионов металлов, имплантированных в диэлектрики при низких энергиях
Степанов А.Л.1, Жихарев В.А.2, Хайбуллин И.Б.2
1Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
Email: stepanov@physik.rwth-aachen.de
Поступила в редакцию: 11 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Моделирование профилей распределения ионов Cu+, Ag+ и Au+ при имплантации в аморфные диэлектрики SiO2, Al2O3 и сода-натриевое силикатное стекло проведено при помощи программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамическому изменению фазового состава приповерхностного слоя облучаемого материала, а также с учетом явления поверхностного распыления. Рассмотрены случаи ионной имплантации дозами =< 1016 cm-2 при низких энергиях 30, 60 и 100 keV. Проведено сравнение полученных результатов по динамическому изменению профилей распределения концентрации имплантированных ионов в зависимости от дозы со стандартным статическим распределением, рассчитаным по TRIM-алгоритму. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (N 99-02-17767).
- P.D. Townsend, P.J. Chandler, L. Zhang. Optical effects of ion implantation. University Press, Cambridge (1994). 157 p
- А.Л. Степанов, И.Б. Хайбуллин, П. Таунсенд, Д. Холе, А.А. Бухараев. Патент РФ N 99106057/28 (006367) (1999)
- С.Н. Абдуллин, А.Л. Степанов, Р.И. Хайбуллин, В.Ф. Валеев, Ю.Н. Осин, И.Б. Хайбуллин. ФТТ 38, 8, 2574 (1996)
- С.Н. Абдуллин, А.Л. Степанов, Р.И. Хайбуллин, И.Б. Хайбуллин. Патент РФ N 2096835 (1996)
- I. Sakamoto, S. Honda, H. Tanoue, N. Hayashi, H. Yamane. Nucl. Instr. Meth. B148, 1039 (1999)
- А.А. Бухарев, А.В. Казаков, Р.В. Манапов, И.Б. Хайбуллин. ФТТ 33, 4, 1018 (1991)
- А.Л. Степанов. Опт. и спектр. 89, 3, 444 (2000)
- A.L. Stepanov, D.E. Hole, P.D. Townsend. J. Non-Cryst. Sol. 244, 275 (1999)
- J.F. Ziegler, J.P. Biersak, U. Littmark. The Stopping and range of ions in solids. Pergamon, N.Y. (1996). 192 p
- D.E. Hole, A.L. Stepanov, P.D. Townsend. Nucl. Instr. Meth. B148, 1054 (1999)
- П. Зигмунд. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Мир, М. (1984). 150 с
- В.М. Коноплев. Поверхность, 2, 207 (1986)
- V.M. Konoplev. Rad. Eff. Lett. 87, 207 (1986)
- V.M. Konoplev, M. Vicanek, A. Gras-Marti. Nucl. Instr. Meth. B67, 574 (1992)
- M. Nastasi, J.W. Mayer, J.K. Hirvonen. Ion-solid interactions: Fundamentals and applications. University Press Cambrige, (1996). 278 p
- Hideo Hosono Phys. Rev. Lett. 74, 110 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
