Издателям
Вышедшие номера
Сверхструктура Ga4InAs5
Вайполин А.А.1, Синицын М.А.1, Яковенко А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследован образец эпитаксиального слоя твердого раствора Ga0.82In0.18As. На основе рентгеновских дифрактометрических измерений в его структуре определена координация атомов мышьяка. Соотношение атомов As в координации 4Ga, 3Ga+In и 2Ga+2In соответствует сверхструктуре, где цепочка атомов In, протянутая по направлению [110], чередуется с четырьмя цепочками Ga. Идеальным для такой сверхструктуры составом является Ga4InAs5. Обнаружены также новые особенности доменной структуры, возникающей вследствие температурного изменения конфигурации тетраэдрических связей.
  1. А.А. Вайполин, Д.В. Пуляевский. ФТТ 34, 3, 732 (1992)
  2. А.А. Вайполин, ФТТ 35, 3, 789 (1993)
  3. А.А. Вайполин, Д. Мелебаев. ФТТ 36, 4, 1106 (1994)
  4. А.А. Вайполин, Д. Мелебаев. ФТТ 36, 7, 2107 (1994)
  5. А.А. Вайполин. ФТТ 31, 12, 37 (1989)
  6. А.М. Минтаиров, Д.М. Мазуренко, М.А. Синицын, Б.С. Явич. ФТП 28, 9, 1550 (1994)
  7. A.S. Vlasov, V.G. Melehin, A.M. Mintairov, V.M. Landratov, I.V. Kochnev, M.A. Sinitsyn, B.S. Yavich. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductor. St. Petersburg (23--27 September 1996). P. 981--984

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.