Вышедшие номера
Симметричные ВТСП бикристаллические джозефсоновские переходы: зависимость электрофизических свойств от угла разориентации
Кислинский Ю.В.1, Степанцов Е.А.1, Иванов З.Г.2, Клаесон Т.2
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2Технологический университет Чалмерса, Гетеборг, Швеция
Email: mechan@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследовалась зависимость электрофизических свойств переходов на симметричных бикристаллических границах в ВТСП-пленках от угла разориентации в диапазоне 8-45o. Переходы были получены выращиванием эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 на бикристаллических подложках Y-ZrO2. Пропорциональное соотношение характерных напряжений и нормальных проводимостей переходов получено как следствие из зависимостей критических токов и нормальных сопротивлений от угла разориентации. Для объяснения результатов использована модель сверхпроводник-диэлектрик с уровнями дефектов в запрещенной зоне-сверхпроводник. Отклонения от пропорционального соотношения объясняются неоднородностью переходов. Сделаны оценки толщины эффективного диэлектрического слоя бикристаллического перехода и боровского радиуса электронов на дефектах. Работа частично финансировалась Российским фондом фундаментальных исследований и программой ИНТАС Европейского союза.