Издателям
Вышедшие номера
Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта
Гриняев С.Н.1, Разжувалов А.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Email: gsn@phys.tsu.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

-1 Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля.
  • S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jpn. J. Appl. Phys. Pt 2, 1, 35, L74 (1996)
  • D. Korakakis, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 72, 9, 1004 (1998)
  • Y.-F. Wu, B.P. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S.P. Denbaars, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996)
  • R. Gaska, A.D. Bykhovski, M.S. Shur, V.V. Kaminski, S.M. Soloviov. J. Appl. Phys. 85, 9, 6932 (1999)
  • F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B56, 16, R10 024 (1997)
  • K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki. J. Appl. Phys. 84, 9, 4951 (1998)
  • R. Oberhuber, G. Zandler, P. Vogl. Appl. Phys. Lett. 73, 6, 818 (1998)
  • L. Hsu, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 73, 3, 339 (1998)
  • S.-H. Park, S.-L. Chuang. Appl. Phys. Lett. 72, 24, 3103 (1998)
  • N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laugt, J. Massies. J. Appl. Phys. 86, 7, 3714 (1999)
  • J.S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, A. Hangleiter. Phys. Rev. B57, 16, R9435 (1998)
  • M.B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Phys. Rev. B55, 12, R7323 (1997)
  • F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B57, 16, R9427 (1998)
  • M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald. Phys. Rev. B58, 20, R13 371 (1998); J. Simon, R. Lauger, A. Barski, N.T. Pelekanos. Phys. Rev. B61, 11, 7211 (2000)
  • V. Fiorentini, F. Bernardini, F.D. Sala, A.Di Carlo, P. Lugli. Phys. Rev. B60, 20, 8849 (1999)
  • E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett. 60, 23, 2426 (1988)
  • Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков. ФТП 32, 11, 1363 (1998)
  • Properties of Group III Nitrides / Ed. J.H. Edgar. Kansas State University, emis DATAREVIEWS SERIES N 11 (1994). 302 p
  • A. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen. Phys. Rev. B49, 3, 1952 (1994)
  • С.Н. Гриняев, В.Я. Малахов, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика 4, 69 (1986)
  • Y.-C. Chang, J.N. Schulman. Phys. Rev. B25, 6, 3975 (1982)
  • Ю.И. Сиротин, М.П. Шасколькая. Основы кристаллофизики. Наука, М. (1979). 639 с
  • A.A. Wright. J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997)
  • A. Bykhovski, B. Gelmont, M.S. Shur. J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993)
  • J.W. Orton, C.T. Foxon. Rep. Prog. Phys. 61, 1 (1998)
  • T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, T. Sota, S. Chichibu, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett. 72, 3329 (1998)
  • С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП 26, 12, 2057 (1992)
  • A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, S. Nakamura. J. Appl. Phys. 81, 417 (1997)
  • P. Perlin, I. Gorczyca, S. Porowski, T. Suski, N.E. Christensen, A. Polian. Jpn. J. Appl. Phys. 32, 334 (1993)
  • W.J. Moore, J.A. Freitas, R.L. Moluar. Phys. Rev. B56, 19, 12 073 (1997)
  • H. Wang, G.A. Farias, V.N. Freire. Phys. Rev. B60, 8, 5705 (1999)
  • P.B. Perry, R.F. Rutz. Appl. Phys. Lett. 33, 39 (1978)
  • Э.И. Рашба. ФТТ 1, 3, 407 (1959)
  • S.W. King, C. Ronning, R.F. Gavis, M.C. Benjamin, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys. 84, 4, 2086 (1998)
  • D.Y. Ko, G. Edwards, J.C. Inkson. Semicond. Sci. Technol. 5, 200 (1990)
  • J. Zak. Phys. Rev. Lett. 20, 1477 (1968)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.