Вышедшие номера
Эффект увеличения фотоупругости в сверхрешетках вблизи междузонных резонансов, стимулированный локализацией носителей в квантовой яме
Аюханов Р.А.1, Шкердин Г.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Московская обл., Россия
Email: gns277@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 18 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Получено аналитическое выражение для резонансной диэлектрической проницаемости и линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами вблизи межзонных резонансов. Показано, что в таких структурах величина резонансной фотоупругости значительно больше, чем в объемном случае и может превышать фотоупругость вблизи резонанса объемного экситона. Отмечено, что такой результат связан с локализацией невзаимодействующих электрона и дырки в слое с квантовой ямой и такая система вблизи межзонного резонанса определяет упруго-оптические свойства сверхрешетки подобно экситону в объемном кристалле.