Проведено исследование фотопотенциала для серии сандвичных структру на основе пленок поли(3-додецилтиофена) с характерными толщинами 100 и 500 nm, осажденных из раствора на n-Si и p-Si-подложки. Полупрозрачные Al и Au электроды были термически напылены на поверхность пленок. Отчетливый фотоотклик наблюдался в пленках на n-Si подложке. Обнаружены две четко выраженные спектрaльные компоненты фотопотенциала в диапазоне энергий падающих квантов 1.3-3.6 eV (900-300 nm). Первая компонента соответствует краю поглощения Si подложки (1.4-1.6 eV). Другая компонента соответствует области pi-pi^* поглощения пленок политиофена (1.7-2.1 eV). Зависимости фотопотенциала от интенсивности излучения различны для двух спектральных компонент. Время релаксации фотоотклика в случае второй компоненты, связанной с поглощением в пленке, составляет 10-20 минут, что на 3-4 порядка выше, чем время релаксации первой компоненты. Предложена модель потенциального барьера на границе раздела политиофен/n-Si, возникающего в результате химического взаимодействия молекул политиофена с подложкой, позволяющая объяснить основные экспериментальные результаты. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-03-33427) и Российской программы "Поверхностные Атомные Структуры" (грант N 4.3.99).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.