Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком
Богомолов В.Н.1, Гуревич С.А.1, Заморянская М.В.1, Ситникова А.А.1, Смирнова И.П.1, Соколов В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Показано, что полосa зеленой катодолюминесценции возникает в силикатных системах при энергетическом воздействии, превышающeм некоторый порог. Наши опыты с опалами показали, что облучение создает в их пустотах свободные Si-нанокластеры. Появление при этом зеленой люминесценции можно связать с появлением межфазной границы Si-SiO2.
- М.В. Замoрянская, В.И. Соколов. ФТТ 40, 1984 (1998)
- M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, A.A. Sitnikova, C.G. Konnikov. Solid State Phenomena 63--64, 237 (1998)
- L.N. Skuja, A.R. Silin. Phys. Stat. Sol. (a) 70, 43 (1982)
- J.P. Mitchell, D.G. Denure. Solid State Electronics 16, 825 (1973)
- S.A. Litvinenko, V.I. Sokolov. Phys. Stat. Sol. (a) 116, 615 (1989)
- В.Г. Бару, М.И. Елинсон, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.А. Лазанов, Н.Н. Мельник, Г.В. Степанов, А.П. Чернушич. Микроэлектроника 27, 45 (1998)
- В.Н. Богомолов, М.В. Заморянская, В.И. Соколов. Патент России N 215308
- V.N. Bogomolov. Phys. Rev. B51, 17 040 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
