Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком

Богомолов В.Н.¹, Гуревич С.А.¹, Заморянская М.В.¹, Ситникова А.А.¹, Смирнова И.П.¹, Соколов В.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что полосa зеленой катодолюминесценции возникает в силикатных системах при энергетическом воздействии, превышающeм некоторый порог. Наши опыты с опалами показали, что облучение создает в их пустотах свободные Si-нанокластеры. Появление при этом зеленой люминесценции можно связать с появлением межфазной границы Si-SiO₂.

М.В. Замoрянская, В.И. Соколов. ФТТ 40, 1984 (1998)
M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, A.A. Sitnikova, C.G. Konnikov. Solid State Phenomena 63--64, 237 (1998)
L.N. Skuja, A.R. Silin. Phys. Stat. Sol. (a) 70, 43 (1982)
J.P. Mitchell, D.G. Denure. Solid State Electronics 16, 825 (1973)
S.A. Litvinenko, V.I. Sokolov. Phys. Stat. Sol. (a) 116, 615 (1989)
В.Г. Бару, М.И. Елинсон, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.А. Лазанов, Н.Н. Мельник, Г.В. Степанов, А.П. Чернушич. Микроэлектроника 27, 45 (1998)
В.Н. Богомолов, М.В. Заморянская, В.И. Соколов. Патент России N 215308
V.N. Bogomolov. Phys. Rev. B51, 17 040 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель