Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение начальных стадий дефектообразования углеродных нанотрубок под действием ионного облучения аргоном
Бржезинская М.М.1, Байтингер Е.М.1, Шнитов В.В.2, Смирнов А.Б.2
1Челябинский государственный педагогический университет, Челябинск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: brzhezinskaya@fromru.com
Поступила в редакцию: 3 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Исследовано образование дефектов в углеродных нанотрубках под действием потока ионов аргона. Представлены экспериментальные результаты исследования pi-плазмонов в однослойных и многослойных углеродных нанотрубках методом характеристических потерь энергии электронами. Надмолекулярная структура нанотрубок в процессе проведения эксперимента ступенчато модифицировалась потоком ионов аргона (максимальная доза облучения составляет 360 muC/cm2). Одновременно методом Оже-электронной спектроскопии контролировалось содержaние внедренного в структуру нанотрубок аргона. Экспериментально определено влияние ионного облучения на собственную энергию pi-плазмонов Epi и ширину на половине высоты плазменного спектра delta E. Выявлена связь указанных величин с концентрацией внедренного аргона. Показано, что процесс дефектообразования за счет облучения ионами немонотонен, протекает ступенчато. Дана качественная феноменологическая интерпретация обнаруженного экспериментально уменьшения величины Epi и одновременного уширения спектра pi-плазмонов. Высказано предположение, что микроскопический механизм обнаруженных явлений связан с некоторым сужением энергетических pi-подзон за счет поля заряженных дефектов, созданных ионами. Работа выполнена при поддержке Министерства образования Российской Федерации (грант N PD02-1.2-170).
- W. Hoenlein. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4370 (2002)
- P. Avouris, J. Appenzeller, R. Martel, S.J. Wind. Proc. IEEE 91, 11, 1772 (2003)
- J.C. Charlier, M. Terrones, T. Bauhart, N. Grobert, H. Terrones, P.M. Ajayan. IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 4, 349 (2003)
- T. Fukuda, F. Arai, L. Dong. Proc. IEEE 91, 11, 1803 (2003)
- A.V. Krasheninnikov, K. Nordlund, J. Keinonen. Phys. Rev. B 65, 64 423 (2002)
- Z. Klusek, S. Datta, P. Biszewski, P. Kowalcsuk. Surf. Sci. 507, 577 (2002)
- P.M. Ajayan, S. Iijima, T. Ichihashi. Phys. Rev. B 47, 11, 6859 (1993)
- R. Kuzuo, M. Terauchi, M. Tanaka, Y. Saito. Jpn. J. Appl. Phys. (P2) 33, 9B, L 1316 (1993)
- B.W. Reed, M. Sarikaya. Phys. Rev. B 64, 19, 195 404 (2001)
- M. Kociak, L. Henrard, O. Stephan, K. Suenaga, C. Collix. Phys. Rev. B 61, 20, 13 936 (2000)
- M.M. Brzhezinskaya, E.M. Baitinger, V.V. Shnitov. Proc. of the 2003 MRS Fall Meeting. Boston (2004). V. 792. P. 371
- P. Chen, X. Wu, X. Sun, J. Lin, W. Ji, K.L. Tan. Phys. Rev. Lett. 82, 12, 2548 (1999)
- S. Iijima. Nature 354, 56 (1991)
- E.D. Obraztsova, J.-M. Bonard, V.L. Kuznetsov, V.I. Zaikovskii, S.M. Pimenov, A.S. Pozarov, S.V. Terekhov, V.I. Konov, A.N. Obraztsov, A.P. Volkov. Nanostruct. Mater. 12, 567 (1999)
- А.С. Лобач, Н.Г. Спицына, С.В. Терехов, Е.Д. Образцова. ФТТ 44, 3, 457 (2002)
- M. Brzhezinskaya, E. Baitinger, V. Shnitov. Physica B 348, 1--4, 95 (2004)
- V.N. Popov. Mater. Sci. Eng. R 43, 3, 61 (2004)
- Y. Lee, S. Kim, D. Tomanek. Phys. Rev. Lett. 78, 2397 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
