Проведено измерение температурной зависимости испульсной проводимости sigma щелочно-галоидных кристаллов с решеткой типа NaCl при различных плотностях возбуждения j электронным пучком пикосекундной длительности. Показано, что увеличение j приводит к ослаблению зависимости sigma(T). Этот эффект связывается с перекрытием волновых функций центров рекомбинации и уменьшением энергии активации разделения генетических электронно-дырочных пар. Работа выполнена при поддержке гранта МО и ПО РФ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.