Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Просвечивающая электронная микроскопия колончатых наноструктур GaN, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mam@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Показана возможность выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с ВЧ-плазменным возбуждением азотного разряда колончатых кристаллов GaN нанометровых размеров и исследованы просвечивающей электронной микроскопией (ПЭМ) типы и распределение дефектов в таких наноструктурах на подложках сапфира (0001). С помощью ПЭМ выяснено, что независимо от наличия начального низкотемпературного буферного слоя происходит развитие инверсных доменов практически от интерфейса, определен критический диаметр колонн, свободных от дислокаций, их плотность и средние размеры. Показана зависимость плотности дислокаций, их пространственного распределения и средних размеров колонн от наличия низкотемпературного буферного слоя. Нанометровые размеры выращенных кристаллов позволяют надеяться на дальнейшее использование их и самого метода роста для получения МПЭ квантоворазмерных объектов (квантовых точек и проволок) в перспективной системе AlGaInN. Работа проводилась в рамках проекта РФФИ N 99-02-17103 и Программ Министерства науки "Физика твердотельных наноструктур".
- S. Strite, H. Morkos. J. Vac. Sci. Technol. B10, 1237 (1992)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996)
- I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai. Electr. Lett. 32, 1105 (1996)
- Y. Arakawa, H. Sakai. Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982)
- R. Notzel. J. Temmyo, T. Tamamura. Nature 369, 131 (1994)
- K.Y. Cheng, K.C. Hsieh, J.N. Baillargen. Appl. Phys. Lett. 60, 2892 (1992)
- M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 43, L459 (1997)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett. 5, 4, 89 (1964)
- В.В. Мамутин. Письма в ЖТФ 25, 18, 55 (1999)
- G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Stat. Sol. (b) 216, 445 (1999)
- С.М. Поляков, Е.Н. Лаверко, В.М. Марахонов. Кристаллография 15, 3, 598 (1970)
- M. Koguchi, H. Kakibyashi, M. Yazawa. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 7, 2061 (1992)
- A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui. Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997)
- В.В. Мамутин, В.Н. Жмерик, Т.В. Шубина, А.А. Торопов, А.В. Лебедев, В.А. Векшин, С.В. Иванов, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 24, 12, 30 (1998)
- A.R. Smith, V. Ramachandran, R.M. Feenstra, D.W. Greve, A. Ptak, T. Myers, W. Samey, L. Salamanca-Riba, M. Shin, M. Skowronski. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 12 (1998)
- Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография 18, 1, 147 (1973)
- D. Byun, H.-J. Kim, C.H. Hong, C.H. Hong, C.-S. Park, G. Kim, S.-K. Koh, W.-K. Choi, D.-W. Kum. Phys. Stat. Sol. (a) 176, 643 (1999)
- В.М. Косевич, Л.С. Палатник. "Электронно-микроскопическое изображение дислокаций и дефектов упаковки". Справочное руководство. Наука, М. (1976). 223 с
- Y. Xin. P.D. Brown, T.S. Cheng, C.T. Foxon, C.J. Humphreys. Semicond. Mater. Conf. Oxford (1997). P. 217
- X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 80, 6, 3228 (1996)
- S.-H. Cho, X.-Q. Shen, H. Okumura. Phys. Stat. Sol. (a) (2000), to be published
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
