Вышедшие номера
Просвечивающая электронная микроскопия колончатых наноструктур GaN, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Мамутин В.В.1, Черкашин Н.А.1, Векшин В.А.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mam@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Показана возможность выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с ВЧ-плазменным возбуждением азотного разряда колончатых кристаллов GaN нанометровых размеров и исследованы просвечивающей электронной микроскопией (ПЭМ) типы и распределение дефектов в таких наноструктурах на подложках сапфира (0001). С помощью ПЭМ выяснено, что независимо от наличия начального низкотемпературного буферного слоя происходит развитие инверсных доменов практически от интерфейса, определен критический диаметр колонн, свободных от дислокаций, их плотность и средние размеры. Показана зависимость плотности дислокаций, их пространственного распределения и средних размеров колонн от наличия низкотемпературного буферного слоя. Нанометровые размеры выращенных кристаллов позволяют надеяться на дальнейшее использование их и самого метода роста для получения МПЭ квантоворазмерных объектов (квантовых точек и проволок) в перспективной системе AlGaInN. Работа проводилась в рамках проекта РФФИ N 99-02-17103 и Программ Министерства науки "Физика твердотельных наноструктур".
  1. S. Strite, H. Morkos. J. Vac. Sci. Technol. B10, 1237 (1992)
  2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996)
  3. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai. Electr. Lett. 32, 1105 (1996)
  4. Y. Arakawa, H. Sakai. Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982)
  5. R. Notzel. J. Temmyo, T. Tamamura. Nature 369, 131 (1994)
  6. K.Y. Cheng, K.C. Hsieh, J.N. Baillargen. Appl. Phys. Lett. 60, 2892 (1992)
  7. M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 43, L459 (1997)
  8. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett. 5, 4, 89 (1964)
  9. В.В. Мамутин. Письма в ЖТФ 25, 18, 55 (1999)
  10. G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Stat. Sol. (b) 216, 445 (1999)
  11. С.М. Поляков, Е.Н. Лаверко, В.М. Марахонов. Кристаллография 15, 3, 598 (1970)
  12. M. Koguchi, H. Kakibyashi, M. Yazawa. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 7, 2061 (1992)
  13. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui. Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997)
  14. В.В. Мамутин, В.Н. Жмерик, Т.В. Шубина, А.А. Торопов, А.В. Лебедев, В.А. Векшин, С.В. Иванов, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 24, 12, 30 (1998)
  15. A.R. Smith, V. Ramachandran, R.M. Feenstra, D.W. Greve, A. Ptak, T. Myers, W. Samey, L. Salamanca-Riba, M. Shin, M. Skowronski. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 12 (1998)
  16. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография 18, 1, 147 (1973)
  17. D. Byun, H.-J. Kim, C.H. Hong, C.H. Hong, C.-S. Park, G. Kim, S.-K. Koh, W.-K. Choi, D.-W. Kum. Phys. Stat. Sol. (a) 176, 643 (1999)
  18. В.М. Косевич, Л.С. Палатник. "Электронно-микроскопическое изображение дислокаций и дефектов упаковки". Справочное руководство. Наука, М. (1976). 223 с
  19. Y. Xin. P.D. Brown, T.S. Cheng, C.T. Foxon, C.J. Humphreys. Semicond. Mater. Conf. Oxford (1997). P. 217
  20. X.H. Wu, L.M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 80, 6, 3228 (1996)
  21. S.-H. Cho, X.-Q. Shen, H. Okumura. Phys. Stat. Sol. (a) (2000), to be published

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.