Вышедшие номера
Динамические свойства дислокаций в термообработанных при низких температурах пластинах кремния
Меженный М.В.1, Мильвидский М.Г.2, Павлов В.Ф.1, Резник В.Я.2
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет", Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Изучены особенности генерации и движения дислокаций в бездислокационных пластинах кремния (монокристаллы выращены методом Чохральского), подвергнутых термообработкам при 450 и 650oC. Установлено, что низкотемпературные термообработки пластин с содержанием кислорода (7-8)· 1017 cm-3 оказывают существенное влияние на динамические характеристики вводимых в них при четырехточечном изгибе дислокаций, вызывая увеличение стартовых напряжений начала их движения. Обнаружена характерная пространственная неоднородность в генерации и распространении дислокаций от отпечатков индентора при игзибе термообработанных пластин. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
  1. K. Sumino. Proc. 1st International Autumn School on Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology. Garzau / Ed. by H. Richter (1985). P. 41
  2. I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. Stat. Sol. A60, 341 (1980)
  3. V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol. 8, 2037 (1993)
  4. R. Falster, V.V. Voronkov. J. Crystal Growth 194, 1, 76 (1998)
  5. Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. Радио и связь. М. (1982). 240 с
  6. М.Г. Мильвидский, А.В. Беркова. Завод. лаб. XXVII, 5, 557 (1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.