Выполнено молекулярно-динамическое моделирование атомных каскадов столкновений, инициируемых нормально падающими на поверхность кристалла Al(100) ионами Ar и Xe с энергиями 25, 40 и 50 eV при температуре кристалла 300 K. Обсуждается образование вакансий, радиационно-адсорбированных и межузельных атомов в каскаде. Показано, что при бомбардировке Al ионами Xe числа образуемых в каскадах поверхностных и объемных вакансий имеют два максимума в интервалах 0.2-0.3 и 0.7-1.0 ps с начала каскада, тогда как в случае Ar генерации вакансий имеют один максимум в интервале 0.2-0.3 ps. Работа поддержана грантом GZ 41002 / 8-19 / 91 Венского технического университета. Один из авторов (Г.В.К.) считает своим приятным долгом выразить признательность Австрийскому фонду научных исследований за предоставление финансовой поддержки во время его работы в Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, Австрия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.