Издателям
Вышедшие номера
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллов PbWO4 от температуры в области 290-550 K
Шевчук В.Н.1, Каюн И.В.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Email: shevchuk@wups.lviv.ua
Поступила в редакцию: 11 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Исследована температурная зависимость диэлектрической постоянной varepsilon кристаллов PbWO4 в области T=290-550 K на частоте 1 kHz. При нагревании и охлаждении образца наблюдается различный ход кривых varepsilon(T). На зависимости varepsilon(T) при нагревании выделяются группы узких максимумов при 290-330 K и 330-400 K. Первая группа пиков доминирует. Высокотемпературная поляризация обусловливает дополнительный размытый пик на кривой varepsilon(T) при 400 K. Линейная зависимость varepsilon(T) наблюдается при 400--470 K, выше 470 K закон изменения varepsilon(T) близок к экспоненциальному. Восстановительная релаксация значений varepsilon в пределах 25--30 при 290 K после высокотемпературного прогрева образца происходит в несколько стадий по экспоненциальному закону. Дипольная поляризация и прыжковый механизм обмена зарядами между сложными дипольными ассоциатами определяют особенности varepsilon(T). Такими дефектами структуры могут служить пары двухзарядных вакансий свинца и кислорода --- диполоны. Они же являются основой для более сложных комплексов дефектов с локализованными дырками (электронами) на соответствующих вакансиях.
  1. M. Nikl. Phys. Stat. Sol. (a) 178, 2, 595 (2000)
  2. В.Н. Шевчук, И.В. Каюн. ФТТ 45, 10, 1807 (2003)
  3. V.N. Shevchuk, I.V. Kayun. Functional Mater. 10, 2, 229 (2003)
  4. В.Н. Шевчук, I.В. Каюн. Вiсн. Львiв. ун-mу. Сер. физ. 35, 60 (2002)
  5. J.A. Groenink, H. Binsma. J. Sol. Stat. Chem. 29, 2, 227 (1979)
  6. B. Han, X. Feng, G. Hu, P. Wang, Z. Yin. J. Appl. Phys. 84, 5, 2831 (1998)
  7. H. Huang, W. Li, X. Feng, P. Wang. Phys. Stat. Sol. (a) 187, 2, 563 (2001)
  8. W.-S. Li, T.-B. Tang, H.-W. Huang, X.-Q. Feng. Jpn. J. Appl. Phys. 40, 12, P. 1, 6893 (2001)
  9. H.-W. Huang, Z.-G. Ye, M. Dong, W.-L. Zhu, X.-Q. Feng. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6B, P. 2, L 713 (2002)
  10. H.-W. Huang, X. Feng, T.-B. Tang, M. Dong, Z.-G. Ye. Phys. Stat. Sol. (a) 196, 2, R 7 (2003)
  11. W. Li, T.-B. Tang, X. Feng. J. Appl. Phys. 87, 11, 7692 (2000)
  12. S.K. Arora, T. Mathew. Phys. Stat. Sol. (a) 116, 1, 405 (1989)
  13. О.В. Иванов, А.П. Находнова, В.Н. Кривобок. ЖНХ 27, 3, 587 (1982)
  14. А.А. Потапов. Диэлектрический метод исследования вещества. Изд-во Иркут. ун-та, Иркутск (1990). 256 с
  15. А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. ФТТ 39, 5, 871 (1997)
  16. М.В. Мохосоев, Ж.Г. Базарова. Сложные оксиды молибдена и вольфрама с элементами I--IV групп. Наука, М. (1990). 256 с
  17. Y.R. Reddy, L. Sirdeshmukh. Phys. Stat. Sol. (a) 103, 2, K 157 (1987)
  18. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 304 с
  19. А. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов. ИЛ, М. (1963). 222 с
  20. Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты. Наука, М. (1977). 176 с
  21. M. Nikl, K. Nitsch, S. Baccaro, A. Cecilia, M. Montecchi, B. Borgia, Dafinei. I., M. Diemoz, M. Martini, E. Rosetta, G. Spinolo, A. Vedda, M. Kobayashi, M. Ishii, Y. Usuki, O. Yarolimek, P. Reiche. J. Appl. Phys. 82, 11, 5758 (1997)
  22. Q. Zhang, T. Liu, J. Chen, X. Feng. Phys. Rev. B 68, 064 101 (2003)
  23. V.V. Laguta, M. Martini, A. Vedda, E. Rosetta, M. Nikl, E. Mihokova, J. Rosa, Y. Usuki. Phys. Rev. B 67, 205 102 (2003)
  24. Y.B. Abraham, A.W. Holzwarth, R.T. Williams, G.E. Matthews, A.R. Tackett. Phys. Rev. B 64, 245 109 (2001)
  25. A.K. Jonscher. Universal relaxation law. Dielectric relaxation in solids. Chelsea Dielectric Press, London (1996). 415 p
  26. Т.В. Панченко, Л.М. Карпова, В.М. Дуда. ФТТ 42, 4, 671 (2000)
  27. П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю. Шостак, Ю. Сидоренко, А. Родзик. ФТП 34, 10, 1174 (2000)
  28. Л.Е. Сошников, В.М. Трухан, С.Ф. Маренкин. Неорган. материалы 39, 4, 395 (2003)
  29. A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Rad. Eff. Def. Sol. 134, 1-- 4, 251 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.