Издателям
Вышедшие номера
Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS
Шаренкова Н.В.1, Каминский В.В.1, Голубков А.В.1, Васильев Л.Н.1, Каменская Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности пленки металлической фазы, возникающей при дозированной полировке полупроводниковых поликристаллических образцов Sm1+xS в области гомогенности. Исследованы структурные изменения, возникающие при этом в полупроводниковой фазе. На основании анализа зависимости толщин металлических слоев, образующихся на поверхности образца, от x объяснен механизм влияния на параметры перехода количества избыточных ионов самария. Оценки, проведенные с использованием результатов измерений размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения в образцах различного состава, позволили объяснить причину стабилизации металлической модификации SmS после прекращения полировки. Возникновение и стабилизация металлической фазы связаны с уменьшением и сохранением размеров ОКР. Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО "Dial Engineering".
  1. А.В. Голубков, Е.В. Гончарова. В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ. Наука, Л. (1973). 304 с
  2. Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ш. Лани. ФТТ 39, 3, 577 (1997)
  3. В.В. Каминский, В.А. Капустин, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 12, 3568 (1980)
  4. А.В. Рябов, Б.И. Смирнов, С.Г. Шульман, Т.Б. Жукова, И.А. Смирнов. ФТТ 19, 9, 1699 (1977)
  5. Т.Б. Жукова, В.М. Сергеева, С.Г. Шульман, И.А. Смирнов. ФТТ 20, 1, 236 (1978)
  6. С.В. Погарёв, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова, М.В. Романова, Л.Д. Финкельштейн, Н.Н. Ефремова, Т.Б. Жукова, К.Г. Гарцман, И.А. Смирнов. ФТТ 23, 2, 434 (1981)
  7. Н.М. Володин, В.В. Каминский. Способ подгонки номинального сопротивления полупроводникового резистора. А. с. N 1311357
  8. А.В. Голубков, Т.Б. Жукова, В.М. Сергеева. Неорг. материалы 2, 1, 77 (1966)
  9. А. Гинье. Рентгенография кристаллов. ГИФМЛ, М. (1961). 604 с
  10. В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев. ФТТ 44, 8, 1501 (2002)
  11. M.B. Maple, D. Wohlleben. Phys. Rev. Lett. 27, 511 (1971)
  12. A. Jayaraman, P.D. Deraier, L.D. Longinotti. High Temp.--High Press. 7, 1, 1 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.