Издателям
Вышедшие номера
Интерполяционная формула для кулоновской щели в слаболегированных и компенсированных полупроводниках
Арутюнян С.Л.1
1Государственный инженерный университет Армении, Гюмрийский образовательный комплекс, Гюмри, Армения
Email: sashar@rambler.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Для функции плотности состояний носителей заряда в примесной зоне слаболегированного полупроводника предлагается зависящая от двух параметров итерполяционная формула, которая справедлива для произвольного значения энергии. Указанные параметры, первый из которых есть уровень Ферми, а второй характеризует ширину пиков функции плотности состояний, определяются из условий нормировки и электронейтральности.
  1. M.L. Knotek, M. Pollak. Phys. Rev. B 9, 664 (1974)
  2. T. Kurosava, H. Sugimoto. Prog. Ther. Phys. (Suppl.) 57, 217 (1975)
  3. A.L. Efros, B.I. Shklovskii. J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 8, L49 (1975)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  5. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 925 (1980)
  6. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин, В.Т. Долгополов, В. Ханзен, М. Холланд. УФН 170, 3, 327 (2000)
  7. А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Взягин, С.В. Егоров. ФТП 31, 10, 1174 (1997)
  8. А.Г. Забродский. УФН 168, 7, 804 (1998)
  9. В.М. Барздов, Т.А. Петрович. ФТП 31, 1, 89 (1997)
  10. S.L. Harotunian, V.A. Harotunian, H.A. Jivanian, G.O. Denirjian. Thin Solid Films 258, 357 (1995)
  11. Н.А. Покровский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ 42, 3, 432 (2000)
  12. Д.В. Николаев, В.Н. Архипов, В.Р. Никитенко. ФТП 34, 6, 682 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.