Вышедшие номера
Особенности электрооптических свойств кристаллов ниобата бария-стронция и их связь с доменной структурой
Волк Т.Р.1, Иванов Н.Р.1, Исаков Д.В.1, Ивлева Л.И.2, Лыков П.А.2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2Научный центр лазерных материалов и технологий Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Email: volk@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

В кристаллах ниобата бария-стронция, монодоменизированных в сегнетоэлектрической фазе, обнаружены координатные зависимости электрооптических коэффициентов rij и полуволнового напряжения Vlambda/2 вдоль полярной оси. Распределения rij(z) и Vlambda/2(z) свидетельствуют о существовании остаточной доменной плотности D(z) и однозначано зависят от знака поляризующего поля: минимальная величина rij, т. е. максимальная D, всегда наблюдается у отрицательного электрода. Такой характер распределения D(z) и тем самым координатные зависимости rij(z) и Vlambda/2(z) объясняются преимущественным зарождением доменов у отрицательного электрода, выявленным при исследованиях процессов переключения методом 90o-(рэлеевского) рассеяния света на доменных стенках. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-13272) и INTAS (грант N 01-0173).
  1. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). 400 с
  2. T. Volk, L. Ivleva, P. Lykov, D. Isakov, V. Osiko, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. 79, 6, 854 (2001)
  3. M.D. Ewbank, R.R. Neurgaonkar, W.K. Cory, J. Feinberg. J. Appl. Phys. 62, 2, 374 (1987)
  4. K. Sayano, A. Yariv, R.R. Neurgaonkar. Appl. Phys. Lett. 55, 4, 378 (1989).
  5. А.Е. Андрейчук, Л.М. Дорожкин, Ю.С. Кузьминов, И.А. Масляницын, В.Н. Молчанов, А.И. Русаков, В.И. Симонов, В.Д. Шигорин, Г.П. Шипуло. Кристаллография 29, 6, 1094 (1984)
  6. Y.Y. Zhu, R.F. Xiao, J.S. Fu, G.K.L. Wong, N. Ming. Opt. Lett. 22, 18, 1382 (1997)
  7. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ЖЭТФ 120, 3, 678 (2001)
  8. T. Granzow, V. Doerfler, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. Phys. Rev. B 63, 174 101 (2001)
  9. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Е.С. Иванова. ФТТ 45, 11, 2067 (2003)
  10. L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
  11. L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Opt. Mater. 4, 168 (1995)
  12. M. DiDomenico, S.H. Wemple. J. Appl. Phys. 40, 3, 720 (1969)
  13. A.I. Bezhanova, V.G. Silvestrov, G.A. Zeinalova, T.R. Volk. Ferroelectrics 111B, 299 (1990)
  14. J.P. Wilde, R.E. Wilde. J. Appl. Phys. 71, 1, 418 (1992)
  15. D. Isakov, T. Volk, L. Ivleva, K. Betzler, C. David, A. Tunyagi, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. Письма в ЖЭТФ 80, 4, 289 (2004)
  16. S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei, R.S. Feigelson. Appl. Phys. Lett. 73, 6, 768 (1998)
  17. M.Y. Goulkov, T. Granzow, U. Doerfler, Th. Woike, M. Imlau, R. Pankrath. Appl. Phys. B 76, 4, 407 (2003)
  18. U. Doerfler, T. Granzow, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau. Appl. Phys. B 78, 2, 211 (2004)
  19. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). С. 123
  20. T. Volk, D. Isakov, L. Ivleva, M. Woehlecke. Appl. Phys. Lett. 83, 11, 2220 (2003)
  21. Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Л.И. Ивлева. ФТТ 45, 8, 1463 (2003)
  22. Н.Ф. Евланова. Канд. дис. МГУ, М. (1978). 160 с
  23. L.A. Bursill, P.J. Lin. Phil. Mag. B 54, 157 (1986)
  24. G. Fogarty, B. Steiner, M. Cronin-Golomb, U. Laor, M.H. Garett, J. Martin, R. Uhrin. J. Optical Soc. America B 13, 11, 2636 (1996)
  25. Н.Р. Иванов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, С.П. Чумакова, А.В. Гинзберг. Кристаллография 47, 6, 1065 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.