Вышедшие номера
Реакция электро- и магнетосопротивления пленок La0.67Ca0.33MnO3 на двухосные растягивающие механические напряжения
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, S Гётеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

-1 Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление эпитаксиальных пленок (50 nm)La0.67Ca0.33MnO3, выращенных на подложке [(80 nm)Ba0.25Sr0.75TiO3/La0.3Sr0.7Al0.65Ta0.35O3] со значительным положительным рассогласованием в параметрах кристаллических решеток. Растягивающие двухосные механические напряжения обусловили увеличение объема элементарной ячейки и относительной концентрации ионов Mn+3 в манганитных пленках по сравнению с соответствующими параметрами для исходного материала (33%). Максимум на температурной зависимости электросопротивления rho сформированных пленок La0.67Ca0.33MnO3 был сдвинут на 30-35 градусов в сторону низких температур относительно его положения на зависимости rho(T) для манганитной пленки, выращенной на (001)La0.3Sr0.7Al0.65Ta0.35O3. При T<150 K температурные зависимости rho пленок La0.67Ca0.33MnO3/Ba0.25Sr0.75TiO3/La0.3Sr0.7Al0.65Ta0.35O3 хорошо аппроксимировались соотношением rho=rho0+rho1T4.5, где rho=0.35 mOmega·cm, а коэффициент rho1 линейно убывает с ростом напряженности магнитного поля. В температурном интервале 4.2-300 K магнетосопротивление выращенных манганитных пленок находилось в пределах 15-95% (mu0H=5 T). Исследования проводились в рамках научного сотрудничества Российской и Шведской королевской академии наук. Финансовая поддержка для проведения данной работы была частично получена из проекта 9Б19 программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры" и проекта N 04-02-16212 Российского фонда фундаментальных исследований.
  1. Y. Tokura. In: Colossal Magnetoresistive Oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach Science Publ., Amsterdam, The Netherlands (2000). P. 2
  2. S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Yu. Lu, M. Rooks, P.L. Trouilloud, R.A. Wanner, W.J. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 8, 5828 (1999)
  3. A. Goyal, M. Rajeswari, R. Shreekala, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, T. Boettcher, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 17, 2535 (1997)
  4. V.V. Srinivasu, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, K. Ghosh, S.D. Tyagi. J. Appl. Phys. 86, 2, 1067 (1999)
  5. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
  6. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 4, 649 (2003)
  7. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 3--4, 250 (2002)
  8. C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 7, 4032 (2000)
  9. K.H. Kim, J.Y. Gu, H.S. Choi, G.W. Parjk, T.W. Park, T.W. Noh. Phys. Rev. Lett. 77, 9, 1877 (1996)
  10. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 49, 9, 4357 (1971)
  11. A. von Hippel. Rev. Mod. Phys. 22, 3, 221 (1950)
  12. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 6, 1040 (2003)
  13. E.D. Specht, T.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 11, 2351 (1990)
  14. G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 21, 14 434 (1996)
  15. P. Shieffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 18, 3336 (1995)
  16. L.M. Rodriguez-Martinez, J.P. Attfield. Phys. Rev. B 54, 22, R15622 (1996)
  17. B. Raquet, M. Viret, J.M. Broto, E. Sondergard, O. Cespedes, R. Many. J. Appl. Phys. 91, 10, 8129 (2002)
  18. Y.-A. Soh, G. Aeppli, N.D. Mathur, M.G. Blamire. J. Appl. Phyhs. |bf 87, 9, 6743 (2000)
  19. K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 1, 21 (1972)
  20. M. Jaine, M.B. Salamon, M. Rubinstein, R.E. Treece, J.S. Horwitz, D.B. Chrisey. Phys. Rev. B 54, 17, 11 914 (1996)
  21. G. Zhao, Y.S. Wang, D.J. Kang, W. Prellier, M. Rajeswari, H. Keller, T. Venkatesan, C.W. Chu, R.L. Creene. Phys. Rev. B 62, 18, R11949 (2000)
  22. P.J. Radaelli, M. Marezio, H.Y. Hwang, S.-W. Cheomg, B. Batlogg. Phys. Rev. B 54, 13, 8992 (196)
  23. R. Mahesh, R. Mahendiran, A.K. Raychaudhuri, C.N.R. Rao. Appl. Phys. Lett. 68, 16, 2291 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.