Представлены результаты исследования ЭПР сегнетоэлектрической 1.8/65/35 и антисегнетоэлектрической 2/95/5 оптически прозрачной керамики Pb_1-yLa_yZr_1-xTi_xO₃ (PLZT) в широком температурном интервале (20-300 K) после облучения светом длиной волны 365-725 nm. Облучение ультрафиолетовым светом, энергия которого соответствует ширине запрещенной зоны этих материалов, при T<50 K приводит к появлению ряда фотоиндуцированных центров: Ti³⁺, Pb⁺ и Pb³⁺. Показано, что данные центры образуются вблизи примеси лантана, замещающей как ион Pb²⁺, так и частично Ti⁴⁺ путем захвата носителей заряда из зоны проводимости или валентной зоны узельными ионами решетки. Измерены температурные интервалы стабильности этих центров, а также определено положение их локальных уровней энергии в запрещенной зоне. Самым мелким является Ti³⁺ - его энергетический уровень расположен на 47 meV ниже дна зоны проводимости. Центры Pb³⁺ и Pb⁺ создают более глубокие локальные уровни, в керамике PLZT 2/95/5 они устойчивы до комнатной температуры. Для обоих составов керамики изучены процессы миграции локализованных носителей заряда. Показано, что с повышением температуры или под действием красного света ионизированные в зону проводимости с Ti³⁺ электроны перехватываются на более глубокие центры Pb⁺, препятствуя дрейфу носителей в зоне и проявлению фотопроводимости. Обсуждается роль локализованных зарядов в электрооптических явлениях, имеющих место в керамике PLZT.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.