Издателям
Вышедшие номера
Электростимулированное движение краевых дислокаций в кремнии при комнатных температурах
Скворцов А.А.1, Орлов А.М.1, Фролов В.А.1, Соловьев А.А.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: scvor@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

В интервале температур T=300-450 K исследованы движение краевых дислокаций и связанная с ним акустическая эмиссия Si (111) при протекании постоянного тока в направлении [110] плотностью 0.5-5·105 A/m2. Показано, что определяющим механизмом перемещения дислокаций является сила электронного ветра, определяющая величину эффективного заряда, приходящегося на один атом дислокационной линии Zeff=0.06 (n-Si) и -0.01 (p-Si). Согласование теории с экспериментом позволило установить основной вклад краевых дислокаций в акустиэмиссионный отклик исследуемых образцов кремния. Установлены характерные частоты переходов дислокаций в n- и p-Si из одного метастабильного состояния в другое: fmax=0.1-0.5 Hz. Оценены численные значения коэффициентов диффузии атомов в дислокационной примесной атмосфере: 3.2·10-18 m2/s (n-Si) и 1.5·10-18 m2/s (p-Si). Работа выполнена при финансовой поддержке Минвуза "Деградационные процессы в многослойных тонкопленочных структурах" и гранта РФФИ N 98-02-0335.
  1. Т. Судзуки, Х. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций и пластичность. Мир, М. 1989. 296 с
  2. В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина. УФН 165, 8, 887 (1995)
  3. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
  4. Н.К. Нечволод. Ползучесть кристаллических тел при низких температурах. Вища школа, Киев. (1980). 184 с
  5. Ж. Фридель. Дислокации. Мир, М. (1987). 626 с
  6. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 688 с
  7. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 471 с
  8. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  9. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости. Физматлит, М. (1961). 204 с
  10. К.Е. Никитин. ФТТ 36, 12, 3587 (1994)
  11. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, В.А. Фролов. Письма в ЖТФ 25, 3, 28 (1999)
  12. Л.Б. Зуев. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Наука, Новосибирск (1990). 120 с
  13. Мл. Марпл. Цифровой спектральный анализ и его применение. Наука, М. (1990). 387 с
  14. В.И. Спицин, О.А. Троицкий. Электропластическая деформация металлов. Наука, М. (1985). 160 с
  15. В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос). Наука, М. (1969). 295 с
  16. В.Я. Кравченко, ЖЭТФ 51, 1676 (1966)
  17. М.А. Алиев, Х.О. Алиева, В.В. Селезнев. ФТТ 41, 6, 1028 (1991)
  18. В.Д. Нацик, К.А. Чишко. ФТТ 14, 11, 3126 (1972)
  19. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. Физматлит, М. (1961). 462 с
  20. Л.Н. Лариков, В.И. Исайчев. Диффузия в металлах и сплавах. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 509 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.