Вышедшие номера
Низкотемпературные рентгенографические исследования кристаллографических параметров и теплового расширения кристаллов (CH3)2NH2Al(SO4)2·6H2O
Шелег А.У.1, Зуб Е.М.1, Семенов К.Н.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Email: sheleg@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 13 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Рентгенографическим методом в области температур 90-300 K измерены кристаллографические параметры a, b, c, beta кристалла (CH3)2NH2Al(SO4)2·6H2O. Определены коэффициенты теплового расширения вдоль основных кристаллографических осей alphaa, alphab, alphac. Показано, что параметр alpha с ростом температуры уменьшается, b растет, c в области T<Tc (Tc - температура перехода) уменьшается, а при T>Tc растет, т. е. на кривой c=f(T) наблюдается минимум в области температуры фазового перехода (ФП) Tc~152 K. Коэффициенты теплового расширения alphaa, alphab, alphac с ростом температуры изменяются сложным образом: alphaa и alphac в области низких температур принимают отрицательные значения, а в точке ФП на кривых alphaa=f(T), alphab=f(T), alphac=f(T) наблюдаются аномалии. Обнаружена значительная анизотропия теплового расширения в этом кристалле. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда фундаментальных исследований республики Беларусь.