Изучение взаимодействия лития с танталом, покрытым пленкой кремния, методом электронно-стимулированной десорбции
Агеев В.Н.1, Соловьев С.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
С помощью статического магнитного масс-спектрометра, совмещенного с энергоанализатором с задерживающим электрическим полем, исследована электронно-стимулированная десорбция ионов Li+ из адслоя лития на поверхности тантала, покрытого пленкой кремния. Порог появления ионов Li+ близок к энергии ионизации уровня 1s лития. Вторичные пороги наблюдались около 130 и 150 eV. Порог при 130 eV превышает примерно на 30 eV энергию ионизации уровня 2p кремния и может быть связан с двойной ионизацией. Порог при 150 eV может быть связан с ионизацией уровня 2s кремния. Показано, что выход ионов Li+ не коррелирует с количеством кремния в приповерхностной области танталовой ленты, резко возрастая при высоких температурах отжига. На зависимости тока десорбции ионов Li+ от концентрации лития после отжига ленты при T> 1800 K обнаружены два максимума. Наибольший вклад в ток ионов Li+ после отжига вносят ионы, десорбируемые электронами с энергией выше 130 и 150 eV. Выход ионов Li+ после ионизации уровня 1s Li при энергии 55 eV значительно меньше, но наблюдается до больших концентраций напыленного лития. Полученные результаты могут быть объяснены на основе модели оже-стимулированной десорбции при учете релаксации локального поля поверхности. Эта работа выполнена в рамках Государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (грант N 4.5.99) и была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972).
- Ш. Мюрарка. Силициды для СБИС. Мир, М. (1986)
- V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface Phases on Silicon. Preperation, Structures and Properties. Wiley. N. Y. (1994)
- E. Kampshoff, N. Walchli, K. Kern. Surf. Sci. 406, 103 (1998)
- J.H. Weaner, v.L. Moruzzi, F.A. Schmidt. Phys. Rev. B23, 2916 (1981)
- В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева. ФТТ 39, 8, 1481 (1997)
- Д. Бигс, М.Н. Сих. Анализ поверхности методом оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Мир, М. (1987)
- В.Н. Агеев, Б.В. Якшинский. ФТТ 37, 2, 483 (1995)
- В.Н. Агеев, Б.В. Якшинский. ФТТ 27, 1, 99 (1985)
- В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева, Н.Р. Галль, С.М. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность 5, 7 (1987)
- В.Н. Агеев, А.М. Магомедов, Б.В. Якшинский. Письма в ЖТФ 15, 6 (1989)
- Ю.К. Устинов. ЖТФ 41, 2, 411 (1971)
- V.N. Ageev, O.P. Burmistrova, B.V. Yakshinskii. Surf. Sci. 194, 101 (1988)
- M.A. Cazalilla, M. Lorente, R. Dier Muino, J.P. Gauyacq, D. Teillet--Billy, P.M. Echenique. Phys. Rev. B58, 20, 13 991 (1998-li)
- Е.В. Рутьков. Автореф. докт. дисс. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СПб (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.