Вышедшие номера
Электронный транспорт в наноразмерной кластерной структуре углерод--медь
Луцев Л.В.1, Яковлев С.В.1, Сиклицкий В.И.2
1Научно-исследовательский институт "Домен", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: siklitsky@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Исследован электронный транспорт в пленках гидрогенизированного аморфного углерода a-C : H с включениями наноразмерных кластеров меди. Выведены условия образования кластеров. Теоретически показано, что зонная энергетическая структура матрицы оказывает существенное влияние на условия образования кластеров. Электронный транспорт зависит от образовавшейся кластерной структуры. Обнаружено, что ниже порога перколяции (случай изолированных кластеров) в зависимости от напряженности электрического поля транспортный ток определяется двумя составляющими. При малых напряженностях поля ток обусловлен электронами в зоне проводимости аморфного углерода, термически возбужденными из медных кластеров. При больших напряженностях поля транспортный ток определяется туннелированием электронов с уровня Ферми группы медных кластеров в зону проводимости a-C : H. По температурным зависимостям найдена разность между краем подвижности зоны проводимости аморфного углерода и энергией Ферми в медных кластерах, равная 0.48 eV. Обнаружена тонкая структура температурных зависимостей сопротивления при малых напряженностях поля. Найдено, что выше порога перколяции в электрическом сопротивлении кластера велика доля остаточного сопротивления, связанная, как предполагается, с рассеянием электронов на поверхностях кластера. Методом спин-волнового рассеяния изучены температурные зависимости электронного транспорта на частоте 4.0 GHz. Обнаружено, что основное влияние на спиновую волну в пленке YIG оказывают термически возбужденные электроны зоны проводимости a-C : H, находящиеся выше края подвижности зоны. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17071а). Один из авторов (Сиклицкий В.И.) был поддержан Российской исследовательской программой "Фуллерены и атомные кластеры" (грант "Пленка-2"), грантом РФФИ N 98-07-90336 и государственной российской программой "Физика твердотельных наноструктур".
  1. J. Robertson. Advances in Physics 35, 4, 317 (1986)
  2. В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов. ФТТ 37, 6, 1693 (1995); V.I. Siklitsky, S.G. Yastrebov, A.B. Lodygin. Chaos, Solitons and Fractals 10, 12, 2067 (1999)
  3. В.И. Иванов-Омский, В.И. Сиклицкий, С.Г. Ястребов. ФТТ 40, 3, 568 (1998)
  4. А.И. Ансельм. Основы статистической физики и термодинамики. Наука, М. (1973). 424 с
  5. А.С. Давыдов. Квантовая механика. Наука, М. (1973). 704 с
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1,2. Мир, М. (1982). 664 с
  7. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  8. B. Abeles, Ping Shen, M.D. Coutts, Y. Arie. Advances in Physics 24, 3, 407 (1975)
  9. Б.М. Смирнов. Физика фрактальных кластеров. Наука, М. (1991). 136 с
  10. П.С. Киреев. Физика полупроводников. Высшая школа, М. (1975). 584 с
  11. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Т 3. Наука, М. (1974). 752 с
  12. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика. Т. 10. Наука, М. (1979). 528 с
  13. А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. Наука, М. (1987). 520 с
  14. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  15. А.С. Давыдов. Теория твердого тела. Наука, М. (1976). 704 с
  16. Ф. Платцман, П. Вольф. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. Мир, М. (1975). 440 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.