Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT

Гольцман Б.М.¹, Ярмаркин В.К.¹, Леманов В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: B.Goltsman@shuvpop.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 23 ноября 1999 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-фарадные (C-V) зависимости сегнетоэлектрических тонких пленок PZT при варьировании в широких пределах скорости изменения управляющего напряжения. Установлено, что при уменьшении скорости расстояние между максимумами C-V-зависимости уменьшается. Это обусловлено уменьшением коэрцитивного поля в результате пространственного разделения подвижных носителей заряда под действием управляющего поля и накопления заряженных дефектов в приэлектродных областях пленок. Оценены параметры (концентрация и подвижность кислородных вакансий), характеризующие процесс образования объемного заряда в пленках, согласующиеся с литературными данными. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 99-02-18022).

Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г. Вендика. М. (1979). 271 с
K.A. Vorotilov, M.I. Yanovskaya, O.A. Dorokhova. Integrated Ferroelectrics 3, 1, 33 (1993)
C. Brennan. Integrated Ferroelectrics 8, 3--4, 335 (1995)
В.К. Ярмаркин, Н.В. Зайцева, С.В. Штельмах, А.В. Моторный. ФТТ 37, 2, 324 (1995)
P.K. Larsen, R. Cuppens, G.A.C.M. Spierings. Ferroelectrics 128, 265 (1992)
T. Baiatu, R. Waser, K.-H. Hardtl. J. Am. Ceram. Soc. 73, 6, 1663 (1990)
В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М. (1976). 408 с
A.K. Tagantsev, Cz. Pawlaczyk, K. Brooks, N. Setter. Integrated Ferroelectrics 4, 1, 1 (1994)
S.-J. Lee, K.-Y. Kang, S.-K. Han. Appl. Phys. Lett. 75, 12, 1784 (1999)
S.D. Bernstain, T.Y. Wong, Y. Kisler, R.W. Tustison. J. Mater. Res. 8, 1, 12 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель