Влияние электрического тока на стартовые характеристики и активационные параметры коротких дислокаций в кристаллах кремния
Макара В.А.1, Стебленко Л.П.1, Обуховский В.В.1, Горидько Н.Я.1, Лемешко В.В.1
1Киевский государственный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
Email: makara@hq.ups.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Показано, что пропускание электрического тока через кристаллический кремний может приводить к возникновению как эффекта гальванопластификации, так и гальваноупрочнения. Установлено, что на характер эффекта влияет температурный режим деформирования и наличие предварительной высокотемпературной обработки образцов. При этом время задержки движения коротких дислокаций и напряжения их старта под действием тока существенно изменяются. Обсуждается связь этих эффектов с изменением электрического состояния атмосферы Котрелла при прохождении тока через кристалл.
- Ю.А. Осипьян, В.Ф. Петренко. В кн.: Физика соединений AIIBVI. Мир, М. (1986). С. 35
- Н. Маеда, К. Кимура, С. Такеучи. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 4, 729 (1987)
- Т. Судзуки, Х. Ёсинага, С. Такеучи. Динамика дислокаций и пластичность. Мир, М. (1989). 294 с
- V.A. Makara, L.P. Steblenko, E.G. Robur. Solid State Phenom. 32--33, 619 (1993)
- В.В. Лемешко, В.А. Макара, В.В. Обуховский, Л.П. Стебленко, Е.Г. Робур. ФТТ 36, 9, 2618 (1994)
- В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько и др. Доповiдi АН Украiни 3, 78 (1994)
- М.А. Алиев, Х.О. Алиева, В.В. Селезнев. ФТТ 37, 12, 3732 (1995)
- Н.Я. Горидько, В.А. Макара, Н.Н. Новиков, Л.П. Стебленко. ФТТ 25, 9, 2598 (1983)
- В.А. Макара, Н.Н. Новиков, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько. ФТТ 31, 5, 31 (1989)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1990). 212 с
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Мир, М. (1984). 475 с
- Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. ИЛ, М. (1962). 584 с
- Б.В. Петухов. ФММ 56, 6, 1177 (1983)
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 599 с
- В.А. Макара. Изучение характера движения коротких дислокационных сегментов в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса. Препринт ИЭС им. Б.О. Патона ИПМ-86-2. Киев (1986). 56 с
- Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках. Мир, М. (1974). 463 с
- I.E. Bondarenko, E.B. Yakimov. Phys. Stat. Sol. (a) 122, 1, 121 (1990)
- F. Shimura. Elektrochem. Soc. 128, 7, 1579 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
