Влияние легирования ванадием на электрические свойства кристаллов Bi12GeO20
Кудзин А.Ю.1, Пляка С.Н.1, Соколянский Г.Х.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 19 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследованы температурные зависимости электропроводности на постоянном и переменном токе, а также вольт-амперные характеристики чистых и легированных ионами ванадия кристаллов германосилленита. Установлено, что в Bi12GeO20 носителями заряда являются электроны и дырки. При введении ванадия наблюдается сильная зависимость проводимости и ее энергии активации от концентрации легирующей примеси. Полученные результаты находят объяснение в рамках модели прыжкового механизма переноса заряда в легированных сильно компенсированных полупроводниках.
- A.A. Ballman. J. Crystal. Growth. 1, 3, 37 (1967)
- R.E. Aldrich, S.L. Hou, M.L. Harvill. J. Appl. Phys. 42, 1, 493 (1971)
- В.П. Авраменко, Л.П. Клименко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. ФТТ 19, 4, 1201 (1977)
- В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. ФТТ 22, 10, 3149 (1980)
- В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский. В сб.: Физика активных диэлектриков. ДГУ, Днепропетровск (1980). 131 с
- В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Т.В. Панченко, Г.Х. Соколянский. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. РГУ, Ростов (1984). 139 с
- О.А. Гудаев. Автометрия 1, 106 (1980)
- B.G. Grebmeier, R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
- С.Н. Пляка, Г.Х. Соколянский. ФТТ 40, 11, 2054 (1998)
- Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область слабых полей). Изд-во физ.-мат. лит-ры, М. (1949). 500 с
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Киев (1981). 256 с
- А.Ю. Кудзин, Г.Х. Соколянский, А.С. Юдин. ФТТ 30, 6, 1864 (1988)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 5, 825 (1980)
- Б.И. Шкловский. ФТП 6, 7 1197 (1972)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства полупроводников. Наука, М. (1975). 416 с
- П. Ле-Комбер, У. Спир. В сб.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродского. Мир, М. (1982). 311 с
- Й. Тавада. В сб.: Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Металлургия, М. (1986)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 62, 3, 1156 (1972)
- К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах. Мир, М. (1984). 219 с
- В.В. Брыксин, Г.Ю. Яшин. ФТТ 23, 10, 3063 (1981)
- В.Л. Бонч-Бруевич. В сб.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках --- Труды VI Mеждународной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. Л. (1976). С. 16
- В.П. Авраменко, А.Ю. Кудзин, Л.П. Клименко, Г.Х. Соколянский. В сб.: Активные диэлектрики. Днепропетровск (1984). С. 71
- В.В. Волков, Ю.Ф. Хомич, П.И. Перов, М.В. Скориков. Изв. АН СССР, Неорган. материалы 25, 5, 827 (1989)
- А.В. Егорышева, В.В. Волков, М.В. Скориков. Неорган. материалы 31, 3, 377 (1995)
- R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук