Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС
Сидоркин А.А.1, Миловидова С.Д.1, Рогазинская О.В.1, Сидоркин А.С.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Исследуется временная зависимость плотности тока эмиссии электронов из сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата при фиксированных температурах. Показано, что указанная зависимость носит экспоненциальный характер. Характерное время релаксации эмиссии зависит от температуры, убывая при приближении к температуре фазового перехода. Величина времени релаксации и его температурная зависимость могут быть объяснены как в рамках механизма, где затухание эмиссии связывается с опустошением поверхностных электронных состояний, так и в рамках механизма максвелловской релаксации. Работа выполнена при частичной поддержки гранта N 2801 по программе "Университеты России - фундаментальные исследования".
- А.С. Сидоркин, А.М. Косцов, В.С. Зальцберг. ФТТ 27, 7, 2200 (1985)
- А.С. Сидоркин, П.В. Логинов, А.М. Саввинов, А.Ю. Кудзин, Н.Ю. Короткова. ФТТ 38, 2, 624 (1996)
- А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 3436 (1982)
- A.S. Sidorkin, B.M. Darinskii. Ferroelectrics 111, 325 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
