К механизму остаточного фотомеханического эффекта
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1, Кутивадзе Н.Г.1, Бибилашвили А.П.1, Бохочадзе З.Г.1
1Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия Кутаисский государственный университет, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 13 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Приведены результаты исследования остаточного фотомагнитного эффекта (ФМЭ) при разных температурах методом микроиндетирования образца после выключения света в монокристаллическом n-Si. Показано, что уменьшение величины остаточного ФМЭ имеет экспоненциальный характер в зависимости как от времени, так и от температуры.
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ 40, 3, 503 (1998)
- G.K. Kuczynski, R.H. Hochman. Phys. Rev. 108, 946 (1957)
- И.Г. Гвердцители, А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, М.Г. Пхакадзе. Поверхность 11, 132 (1985)
- A.B. Gerasimov. Proc. 4th Int. Conf. Materials Science Forum Vols. N. Y. Vol. 65--66. (1990). P. 47
- П.Д. Уорен, С.Г. Робертс, П.Б. Хирш. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 4, 812 (1987)
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. шк., М. (1984). С. 267
- В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. Микротвердость металлов и полупроводников. Металлургия, М. (1969). С. 248
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук