Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование туннельных характеристик барьера в двойной симметричной квантовой яме In_0.25Ga_0.75As/GaAs/In_0.25Ga_0.75As

Орлов Л.К.¹, Ивина Н.Л.¹, Романов Ю.А.¹, Рубцова Р.А.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 11 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Изучены оптические и электрофизические свойства гетеросистемы GaAs/In_0.25Ga_0.75As с двойной симметричной квантовой ямой. Проанализировано влияние туннелирования электронов и дырок через внутренний барьер ямы на сдвиг и расщепление квантовых уровней. Теоретические оценки сопоставляются с результатами измерений фотолюминесценции и фотопроводимости. Холловские измерения указывают на сильное влияние барьера на подвижность носителей заряда. Работа выполнена при поддержке фондов РФФИ (грант N 96-02-19271), ИНТАС (грант РФФИ-ИНТАС N 95-0615) и МНТП "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-2023).

O. Gauthier-Lafaye, S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien. Proc. Int. Symp. Nanostructures: physics and technology. St. Petersburg. (1997). P. 569
M.A. Herman. Semiconductor Superlattices. Akademie-Verlag, Berlin (1986)
Многослойные полупроводниковые структуры / Под ред. А.М. Белянцева, Ю.А. Романова. ИПФ РАН, Горький (1990)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы. Мир, М. (1967). 318 c
S. Flugge. Practical Quantum Mechanics I. Springer-Verlag, Berlin (1971)
Ю.А. Романов, Л.К. Орлов. ФТП 7, 253 (1973)
L.E. Vorob'ev, L.E. Golub, D.V. Donetsky, E.A. Zibik, Yu.V. Kochegarov, D.A. Firsov, V.A.Shalygin, V.Ya. Aleshkin, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, E. Towe, I.I. Saydashev, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Int. Phys. Conf. Ser. Proc. 23 Int. Simp. Compound Semiconductors. St. Petersburg. 155, 153 (1997)
Yu.L. Ivanov, G.V. Churakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, D.V. Tarkhin. Proc. Int. Symp. Nanostructures: physics and technology. St. Petersburg (1995). P. 225

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель