Издателям
Вышедшие номера
Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле
Альшиц В.И.1, Урусовская А.А.1, Смирнов А.Е.1, Беккауер Н.Н.1
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
Email: public@mechan.incr.msk.su
Поступила в редакцию: 18 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Показано, что при активном деформировании кристаллов LiF в постоянном магнитном поле B наблюдается их заметная пластификация, тем более существенная, чем выше магнитная индукция B и чем ниже скорость деформации varepsilon. Измеренные зависимости предела текучести sigmay от B и varepsilon находят свое естественное объяснение в рамках простой кинетической модели, построенной на конкуренции процессов термоактивационного и магнитостимулированного открепления дислокаций от примесных центров.
  1. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
  2. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик. ФТТ 34, 1, 155 (1992)
  3. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова. Письма в ЖЭТФ 62, 4, 352 (1995)
  4. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик. Письма в ЖЭТФ 63, 8, 628 (1996)
  5. А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. Письма в ЖЭТФ 66, 6, 470 (1997)
  6. В.И. Альшиц, Н.Н. Беккауер, А.Е. Смирнов, А.А. Урусовская. ЖЭТФ 115, 3, 951 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.