Ферроэластоэлектрические явления в одноосном сегнетоэлектрическом кристалле ТГС
Дудник Е.Ф.1, Дуда В.М.1, Кушнерёв А.И.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Email: elf@ff.dsu.ua
Поступила в редакцию: 26 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Рассмотрена возможность проявления в одноосном сегнетоэлектрическом кристалле ТГС ферроэластоэлектрических свойств. Путем анализа вида тензоров спонтанных пьезомодулей для каждого из 180o-х доменов, возникающих в результате фазового перехода в кристалле ТГС, определены возможные направления одновременного приложения электрического поля и механических напряжений для переключения кристаллов ТГС. Исследовано влияние одноосных механических напряжений sigma11, sigma22 и sigma33 на параметры насыщенных и ненасыщенных петель диэлектрического гистерезиса ТГС. Обнаружено переключение доменов в кристалле ТГС нетрадиционным способом - комбинацией полей E3sigma12.
- K. Aizu. J. Phys. Soc. Jap. 34, 1, 121 (1973)
- J.W. Laughner, V.K. Wadhawan, R.E. Newnham. Ferroelectrics 36, 439 (1981)
- Е.Ф. Дудник, В.М. Дуда, А.И. Кушнерев. Укр. физ. журн. 43, 2, 243 (1998)
- В.П. Константинова, И.М. Сильвестрова, К.С. Александров. В сб.: Физика диэлектриков. Изд-во АН СССР, М. (1960). С. 351
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук