Коровин Л.И.1, Ланг И.Г.1, Павлов С.Т.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Facultad de Fisica de la UAZ, Apartado Postal C-580, Zacatecas, Mexico
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: korovin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
Исследуется частотная зависимость оптических характеристик квантовой ямы (отражения, пропускания и поглощения) в окрестности межзонных резонансных переходов в случае двух близко расположенных возбужденных уровней. Рассматриваются широкая квантовая яма в сильном магнитном поле, направленном нормально к поверхности ямы, и монохроматическая падающая волна. Учтены различие между показателями преломления барьеров и квантовой ямы и пространственная дисперсия световой волны. Показано, что при больших радиационных временах жизни возбужденных состояний (по сравнению с нерадиационными временами) частотная зависимость коэффициента отражения света в области резонансных межзонных переходов в основном определяется кривой, аналогичной кривой аномальной дисперсии показателя преломления. По мере выравнивания времен жизни вклад этой кривой ослабевает, а при обратном соотношении времен жизни он практически незаметен. Показано также, что в коэффициентах пропускания и поглощения света частотной зависимости, похожей на аномальную дисперсию, не возникает. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ls, 78.67.De
- H. Stolz. Time resolved light scattering from exitons. Springer Tracts in Modern Physic. Springer, Berlin (1994)
- J. Shah. Ultrafast spectroscopy of semiconductors and semiconductor nanostructures. Berlin (1996)
- H. Hang, S.W. Koch. Quantum theory of the optical and electronics properties of semiconductors. World Scientific (1993)
- Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. Наука, СПб (2002)
- L.C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Solid State Commun. 77, 641 (1991)
- L.C. Andreani. In: Confined electrons and photons / Eds E. Burstein., C. Weisbuch. Plemun Press, N. Y. (1995). P. 57
- Е.Л. Ивченко. ФТТ 33, 2388 (1991)
- Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТТ 34, 1815 (1992)
- F. Tassone, F. Bassani, L.C. Andreani. Phys. Rev. B 45, 6023 (1992)
- T. Stroucken, A. Knorr, C. Anthony, P. Thomas, S.W. Koch, M. Khoch, S.T. Gundiff, J. Feldman, E.O. Gobel. Phys. Rev. Lett. 74, 2391 (1995)
- T. Stroucken, A. Knorr, P. Thomas, S.W. Khoch. Phys. Rev. B 53, 2026 (1996)
- M. Hubner, T. Kuhl, S. Haas, T. Stroucken, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Solid State Commun. 105, 105 (1998)
- I.G. Lang, V.I. Belitsky, M. Cardona. Phys. Stat. Sol. (a) 164, 307 (1997)
- I.G. Lang, V.I. Belitsky. Phys. Lett. A 245, 329 (1998)
- I.G. Lang, V.I. Belitsky. Solid State Commun. 107, 577 (1998)
- И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 42, 2230 (2000); Cond-mat / 0006364
- D.A. Contreras-Solorio, S.T. Pavlov, L.I. Korovin, I.G. Lang. Phys. Rev. B 62, 16 815 (2000); Cond-mat / 0002229
- И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 43, 1117 (2001); Cond-mat / 0004178
- И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 44, 2084 (2002); Cond-mat / 0001248
- Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 43, 2091 (2001)
- Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 44, 1681 (2002)
- И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 48, 1693 (2006)
- И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 47, 1704 (2005); Cond-mat / 0411692
- И.Г. Ланг, С.Т. Павлов, Л.И. Коровин. ФТТ 46, 1708 (2004)
- J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev. 97, 869 (1955)
- И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. Наука, М. (1978)
- Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, С.Т. Павлов. ЖЭТФ 118, 388 (2000); Cond-mat / 0004373
- И.В. Лернер, Ю.Е. Лозовик. ЖЭТФ 78, 1167 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.