Издателям
Вышедшие номера
Релаксация низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be и глубокие ловушки вблизи гетерограницы
Минина Н.Я.1, Богданов Е.В.1, Ильевский А.А.1, Краак В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики, Университет им. Гумбольдта, Берлин, Германия
Email: min@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be исследована релаксация к темновому состоянию отрицательной фотопроводимости, возникающей при гелиевых температурах при облучении красным светом. Релаксационный процесс исследован при различных температурах в области существования отрицательной фотопроводимости (T<6 K) и одноосном сжатии до 1.7 kbar. Процессы релаксации количественно хорошо описываются в рамках модели, предполагающей наличие вблизи гетерограницы глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера EB=2± 0.3 meV. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 04-02-16861 и НШ N 1786.2003.2. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Kp
  1. M.J. Chou, D.C. Tsui, G. Weinmann. Appl. Phys. Lett. 47, 609 (1985)
  2. Н.Я. Минина, А.А. Ильевский, В. Краак. Письма в ЖЭТФ 82, 729 (2005)
  3. I.V. Berman, E.V. Bogdanov, A.A. Ilievsky, N.Ya. Minina, W. Kraak. Phys. Stat. Sol. (b) 241, 3410 (2004)
  4. Н.Б. Брандт, В.С. Егоров, М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. ЖЭТФ 89, 2257 (1985)
  5. V. Mosser, S. Conteras, J.L. Robert. Phys. Rev. Lett. 66, 1737 (1991)
  6. P.M. Mooney. J. Appl. Phys. 67, R 1 (1990)
  7. T. Ando. J. Phys. Soc. Jap. 54, 1528 (1985)
  8. K.I. Kolokolov, A.M. Savin, S.D. Beneslavski, N.Ya. Minina, O.P. Hansen. Phys. Rev. B 59, 7537 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.