Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с применением синхротронного излучения, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и дифракции медленных электронов в широкой области покрытий при различных температурах исследованы процессы формирования и свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100). Установлено, что формирование системы Yb-Si(100), полученной методом твердофазной эпитаксии, происходит по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова. Показано, что при субмонослойных покрытиях образуются в основном двумерные (2D) структуры 2-1ptx-1pt 3 и 2-1ptx-1pt 6, а при более высоких степенях покрытия - трехмерная пленка силицида Yb. Получены данные о морфологии и фазовом составе пленки силицида, электронном состоянии атомов Si и валентности атомов Yb в силициде и 2D-структурах, а также об атомном строении этих структур. Установлен компонентный состав Si 2p-спектров при различных покрытиях. Выявлена взаимосвязь формы этих спектров, полученных для многослойных пленок силицида Yb, с фазовым составом последних. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027), Санкт-Петербургского научного центра РАН (инициативный проект N 2.3) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY II (Берлин, Германия). PACS: 68.35.Dv, 81.15.Np

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.