Вышедшие номера
Механизм формирования и электронные свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100)
Бутурович Д.В.1, Вялых Д.В.2, Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1, Молодцов С.Л.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Fachrichtung Physik Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с применением синхротронного излучения, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и дифракции медленных электронов в широкой области покрытий при различных температурах исследованы процессы формирования и свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100). Установлено, что формирование системы Yb-Si(100), полученной методом твердофазной эпитаксии, происходит по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова. Показано, что при субмонослойных покрытиях образуются в основном двумерные (2D) структуры 2-1ptx-1pt 3 и 2-1ptx-1pt 6, а при более высоких степенях покрытия --- трехмерная пленка силицида Yb. Получены данные о морфологии и фазовом составе пленки силицида, электронном состоянии атомов Si и валентности атомов Yb в силициде и 2D-структурах, а также об атомном строении этих структур. Установлен компонентный состав Si 2p-спектров при различных покрытиях. Выявлена взаимосвязь формы этих спектров, полученных для многослойных пленок силицида Yb, с фазовым составом последних. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027), Санкт-Петербургского научного центра РАН (инициативный проект N 2.3) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY II (Берлин, Германия). PACS: 68.35.Dv, 81.15.Np
  1. F.P. Netzer. J. Phys.: Cond. Matter 7 991 (1995)
  2. P. Segovia, D. Purdie, M. Hengsberger, Y. Baer. Nature 402, 504 (1999)
  3. C. Bonet, I.M. Scott, D.J. Spence, T.J. Wood, T.C.Q. Noakes, P. Bailey, S.P. Tear. Phys. Rev. B 72, 165 407 (2005)
  4. M. Kuzmin, R.E. Perala, P. Laukkanen, R.-L. Vaara, M.A. Mittsev, I.J. Vayrynen. Appl. Surf. Sci. 214, 196 (2003)
  5. M.V. Katkov, J. Nogami. Surf. Sci. 524, 129 (2003)
  6. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 256 (1997)
  7. Д.В. Вялых, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев, С.Л. Молодцов. Письма в ЖТФ 30, 41 (2004)
  8. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 1672 (1997)
  9. J.J. Yeh, I. Lindau. Atom. Data Nucl. Data Tabl. 32, 1 (1985)
  10. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
  11. E. Landemark, C.J. Karlsson, Y.-C. Chao, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. Lett. 69, 1588 (1992)
  12. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.Р. Галль, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых. ФТТ 45, 1519 (2003)
  13. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.Р. Галль, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых. Письма в ЖТФ 29, 25 (2003)
  14. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 1 (2004)
  15. C.-P. Cheng, I.-H. Hong, T.-W. Pi. Phys. Rev. B 58, 4066 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.