Вышедшие номера
Механизм формирования и электронные свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100)
Бутурович Д.В.1, Вялых Д.В.2, Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1, Молодцов С.Л.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Fachrichtung Physik Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с применением синхротронного излучения, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и дифракции медленных электронов в широкой области покрытий при различных температурах исследованы процессы формирования и свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100). Установлено, что формирование системы Yb-Si(100), полученной методом твердофазной эпитаксии, происходит по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова. Показано, что при субмонослойных покрытиях образуются в основном двумерные (2D) структуры 2-1ptx-1pt 3 и 2-1ptx-1pt 6, а при более высоких степенях покрытия - трехмерная пленка силицида Yb. Получены данные о морфологии и фазовом составе пленки силицида, электронном состоянии атомов Si и валентности атомов Yb в силициде и 2D-структурах, а также об атомном строении этих структур. Установлен компонентный состав Si 2p-спектров при различных покрытиях. Выявлена взаимосвязь формы этих спектров, полученных для многослойных пленок силицида Yb, с фазовым составом последних. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027), Санкт-Петербургского научного центра РАН (инициативный проект N 2.3) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY II (Берлин, Германия). PACS: 68.35.Dv, 81.15.Np