Вышедшие номера
Эффекты одноэлектронной зарядки в туннельной структуре на металлическом кластере
Погосов В.В.1, Васютин Е.В.1, Курбацкий В.П.1, Коротун А.В.1
1Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина
Email: vpogosov@zntu.edu.ua
Поступила в редакцию: 18 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Теоретически исследованы эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном транзисторе) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа ее вольт-амперной характеристики. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитаны величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. С увеличением размера кластера токовая щель меняется немонотонно. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины и корпорации Samsung. PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk