Влияние наведенной одноосной анизотропии на доменную структуру и фазовые переходы пленок железоиттриевого граната
Вашковский А.В.1, Локк Э.Г.1, Щеглов В.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Московская обл., Россия
Email: svg318@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 24 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Исследовано влияние наведенной одноосной анизотропии на свойства и параметры доменных структур и фазовых переходов в пленках железоиттриевого граната. На основе измерений и полученных формул определена разность между намагниченностью и полем одноосной анизотропии для каждой из пленок, а также измерены параметры доменных структур и фазовых переходов пленок для случаев их намагничивания параллельно и перпендикулярно проекциям кристаллографических осей типа [111] на плоскость пленки. Установлено, что для выращенных в плоскости (111) пленок чистого ЖИГ характерно существование некоторой критической величины поля одноосной анизотропии. Обнаружено, что в пленках с полем одноосной анизотропии, большим критической величины, и в пленках с полем одноосной анизотропии, меньшим критической величины, существенно различаются такие параметры доменных структур, как отношение ширины доменов к толщине пленки, ориентация намагниченности доменов, ориентация доменных границ, величины полей фазовых переходов.
- А.Г. Гуревич, Г.А. Мелков. Магнитные колебания и волны. Наука, М. (1994). 464 с
- А.В. Вашковский, В.С. Стальмахов, Ю.П. Шараевский. Магнитостатические волны в электронике сверхвысоких частот. Изд-во Сарат. ун-та (1993). 320 с
- И.В. Зависляк, В.В. Данилов. Письма в ЖТФ 8, 72 (1982)
- С.А. Вызулин, С.А. Киров, Н.Е. Сырьев. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия 24, 92 (1983)
- П.Е. Зильберман, Г.Т. Казаков, В.В. Тихонов. РЭ 32, 710 (1987)
- Г.Т. Казаков, А.Г. Сухарев, Ю.А. Филимонов. Тез. докл. V Всесоюзной школы по спин-волновой электронике СВЧ. Звенигород (1991). С. 83
- А.В. Вашковский, Э.Г. Локк, В.И. Щеглов. Письма в ЖЭТФ 63, 544 (1996)
- А.В. Вашковский, Э.Г. Локк, В.И. Щеглов. ЖЭТФ 111, 1016 (1997)
- А.В. Вашковский, Э.Г. Локк, В.И. Щеглов. Микроэлектроника 27, 5, 393 (1998)
- А.В. Вашковский, Э.Г. Локк, В.И. Щеглов. ЖЭТФ 114, 10, 1430 (1998)
- R.W. Damon, J.R. Eshbach. J. Phys. Chem. Solids 19, 308, (1961)
- И.Г. Аваева, Ф.В. Лисовский, В.А. Осика, В.И. Щеглов. ФТТ 17, 3045 (1975)
- И.Г. Аваева, Ф.В. Лисовский, В.А. Осика, В.И. Щеглов. ФТТ 18, 3694 (1976)
- И.Г. Аваева, Ф.В. Лисовский, В.А. Осика, В.И. Щеглов. РЭ 21, 1894 (1976)
- В.И. Щеглов. Микроэлектроника 16, 374 (1987)
- А.В. Вороненко, С.В. Герус, Л.А. Красножен. Микроэлектроника 18, 61 (1989)
- В.Б. Бобков, И.В. Зависляк, В.Ф. Романюк. ФТТ 35, 431 (1993)
- V.B. Bobkov, I.V. Zavislyak. Phys. Stat. Sol. ( a) 164, 791 (1997)
- В.И. Козлов. Исследование неоднородности и анизотропии магнитных пленок с помощью гиромагнитных эффектов. Автореф. дис. на соискание уч. степ. д.ф.-м.н. Изд-во ООО "ЭЖИС", М. (1997).!! vadjust !!
- А.В. Луговской, В.И. Щеглов. РЭ 27, 518 (1982)
- А. Малоземов, Дж. Слонзуски. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. Мир, М. (1982). 382 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук