Перераспределение электронной плотности в Bi2Te3, легированном Sn
Гасенкова И.В.1, Житинская М.К.2, Немов С.А.2, Свечникова Т.Е.3
1Институт электроники Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Перераспределение плотности электронных состояний в валентной зоне, энергии связи и химические сдвиги остовных уровней теллура и висмута, обусловленные введением примесных атомов олова в Bi2Te3, исследованы методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено значительное увеличение плотности электронных состояний ниже вершины валентной зоны в области энергий mu~ 15-30 meV. Найденная особенность в энергетическом спектре определяет необычное поведение кинетических коэффициентов в кристаллах p-Bi2Te3 : Sn.
- Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич. ФТТ 38 2998 (1996)
- V.A. Kulbachinskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, J. Horak, P. Lostak. Phys. Rev. B50 16 921 (1994)
- M.K. Zhitinskaya, S.A. Nemov, T.G. Abaidulina, T.E. Svechnikova. Proc. of the XIV Int. Conf. on Thermoelectrics (ICT 95). St. Petersburg, Russia (1995). P. 56
- М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ 40, 8, 1428 (1998)
- Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.В. Поликарпова. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 23, 7, 1128 (1987)
- Е.В. Олешко, В.Н. Королышин. ФТТ 27, 9, 2856 (1985)
- Thomas P. Debies, I. Wayne Rabalais. Chemical Physics 20 277 (1977)
- M.R. Thuler, R.L. Benbow, Z. Hurych. Chemical Physics 71 265 (1982)
- Е.Л. Косарев. Радиотехника и электроника 35, 1, 68 (1990)
- С.Н. Чижевская, Л.Е. Шелимова, В.С. Земсков, В.И. Косяков, Д.В. Малахов. Неорган. материалы 30, 1, 3 (1994)
- Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бригса, М.П. Сика. Мир, М. (1987). С. 598
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). С. 420
- A.W.C. Lin, N.R. Armstrong, T. Kuwana. Anal. Chem. 49, 1228 (1977).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
