На основе уравнени Больцмана с новым модельным интегралом столкновений, учитывающим перераспределение энергии и импульса между всеми степенями свободы электрона, построена и исследована трехмерная модель электронного транспорта в одномерных полупроводниковых сверхрешетках (СР). Найдены ВАХ, средние энергии и эффективные температуры электронов при вертикальном и продольном транспорте. В отличие от одномерных моделей развитый в работе подход позволяет учесть и описать не только продольный, но и поперечный относительно направления тока разогрев электронов. При вертикальном транспорте поперечный разогрев существенно меняет положение, величину и ширину максимума тока. При продольном - возникает неквадратичный по полю разогрев электронов вдоль оси СР даже в приближении линейной ВАХ. Проанализирована возможность описания электронного транспорта в СР смещенным фермиевским распределением в анизотропной температурой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.