Издателям
Вышедшие номера
Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля
Сидоркин А.С.1, Пономарева Н.Ю.1, Миловидова С.Д.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из монокристаллов триглицинсульфата, номинально чистых и легированных примесями ионов Cr3+. Исследована связь между основными параметрами процессов переключения и эмиссии электронов из сегнетоэлектриков коэрцитивным полем и пороговым полем возникновения эмиссии. Показано, что температурные и концентрационные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля.
  1. K. Biedrzycki. Phys. Stat. Sol. ( a) 109, K79 (1988)
  2. H. Gundel, J. Handerek, H. Riege. J. Appl. Phys. 69 2, 975 (1991)
  3. А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 11, 3436 (1982)
  4. А.С. Сидоркин, А.М. Косцов, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 27, 7, 2200 (1985)
  5. А.С. Сидоркин, П.В. Логинов, А.М. Саввинов, А.Ю. Кудзин, Н.Ю. Короткова. ФТТ 38, 2, 624 (1996)
  6. Г.И. Розенман, В.А. Охапкин, Ю.Л. Чепелев, В.Я. Шур. Письма в ЖЭТФ 39, 397 (1984)
  7. K. Biedrzycki, B. Bihan. Ferroelectrics 124, 1201 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.