Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля
Сидоркин А.С.1, Пономарева Н.Ю.1, Миловидова С.Д.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из монокристаллов триглицинсульфата, номинально чистых и легированных примесями ионов Cr3+. Исследована связь между основными параметрами процессов переключения и эмиссии электронов из сегнетоэлектриков коэрцитивным полем и пороговым полем возникновения эмиссии. Показано, что температурные и концентрационные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля.
- K. Biedrzycki. Phys. Stat. Sol. ( a) 109, K79 (1988)
- H. Gundel, J. Handerek, H. Riege. J. Appl. Phys. 69 2, 975 (1991)
- А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 11, 3436 (1982)
- А.С. Сидоркин, А.М. Косцов, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 27, 7, 2200 (1985)
- А.С. Сидоркин, П.В. Логинов, А.М. Саввинов, А.Ю. Кудзин, Н.Ю. Короткова. ФТТ 38, 2, 624 (1996)
- Г.И. Розенман, В.А. Охапкин, Ю.Л. Чепелев, В.Я. Шур. Письма в ЖЭТФ 39, 397 (1984)
- K. Biedrzycki, B. Bihan. Ferroelectrics 124, 1201 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.