Вышедшие номера
Электронная структура Rh, Pt, In, Sn в системах с промежуточной валентностью Eu(Rh1-xPtx)2 и U(In1-xSnx)3
Смирнов Ю.П.1, Совестнов А.Е.1, Шабуров В.А.1, Тюнис А.В.1
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Методом смещений рентгеновских K-линий исследована электронная структура Rh, Pt, In, Sn в системах с промежуточной валентностью Eu(Rh1-xPtx)2, U(In1-xSnx)3. Обнаружено, что заселенность 4d-оболочки Rh в Eu(Rh1-xPtx)2 выше, чем в металле и растет с уменьшением валентности Eu (увеличением заселенности 4f-оболочки). Электронная структура Pt, In и Sn в Eu(Rh1-xPtx)2, U(In1-xSnx)3 не зависит от валентности Eu и U и практически такая же, как в металлах. Эти особенности электронной структуры Rh, Pt, In, Sn в Eu(Rh1-xPtx)2, U(In1-xSnx)3 позволяют предположить, что освобождающийся при электронных fn-> fn-1+e переходах электрон не уходит в общую зону проводимости, а остается локализованным на атомах Eu и U.