Комбинационное рассеяние света в приповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора
Авакянц Л.П.1, Горелик В.С.1, Темпер Э.М.1, Щербина С.М.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: Avakyants@Soft
Поступила в редакцию: 13 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Исследованы закономерности в спектрах комбинационного рассеяния света приповерхностных слоев n-GaAs (n=2· 1018 cm-3) при имплантации ионов B+ с энергией 100 keV в диапазоне доз 3.1· 1011-1.2· 1014 cm-2. На основе предложенной методики анализа спектров комбинационного рассеяния света, зарегистрированных при комнатной температуре, получены качественные и количественные данные о концентрации носителей, их подвижности, а также о степени аморфизации кристаллической решетки и параметрах нанокристаллической фазы в процессе ионной имплантации.
- K.K. Tiong, P.M. Amirtharaj, F.H. Pollak, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett. 44, 1, 122 (1984)
- M. Holtz, R. Zallen, O.Brafman, S. Matteson. Phys. Rev. B37, 9, 4609 (1987)
- M. Gargouri, B. Prevot, C. Schwab. J. Appl. Phys. 62, 9, 3902 (1987)
- Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, И.А. Китов, А.В. Червяков. ФТТ 35, 5, 1354 (1993)
- Рассеяние света в твердых телах / Под ред. М. Кардоны, М. Гюнтеродта. В. 4. Мир, М. (1986)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
