Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Физические свойства монокристаллов n-CdGeAs2, полученных низкотемпературной кристаллизацией
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Представлены результаты первых исследований температурных зависимостей удельной электропроводности и постоянной Холла монокристаллов n-CdGeAs2, полученных низкотемпературной кристаллизацией. Установлено, что развитый метод обеспечивает получение монокристаллов с концентрацией свободных электронов ~= (1-2)·1018 cm-3 и холловской подвижностью ~= 10 000 cm2/(V·s) при T=300 K. Показано, что температурный ход холловской подвижности следует характерному для рассеяния электронов на колебаниях решетки закону, а ниже 150 K наступает отклонение от этого закона, свидетельствующее о росте вклада в рассеяние статических дефектов решетки. Обнаружено, что при 77 K холловская подвижность в полученных кристаллах достигает ~= 36 000 cm2/(V·s). На основе монокристаллов n-CdGeAs2 созданы фоточувствительные гетеропереходы. Анализируются спектральные зависимости фоточувствительности полученных структур. Сделан вывод о перспективности развитого метода для получения совершенных кристаллов CdGeAs2.
- Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников. ЛГУ, Л. (1963)
- О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. Мир, М. (1967)
- В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП 12, 2, 209 (1978)
- M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin 23, 7, 16 (1998)
- P.G. Schunemann, T.M. Pollak. MRS Bulletin 23, 7, 23 (1998)
- B.H. Bairamov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. MRS Bulletin 23, 7, 41 (1998)
- P.G. Schunemann, K.L. Schepler, P.A. Budni. MRS Bulletin 23, 7, 45 (1998)
- Б.Х. Байрамов, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, P.G. Schunemann, M.C. Ohmer, N.C. Fernelius, G. Irmer, J. Monecke. ФТТ 40, 2, 212 (1998)
- Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. ПТЭ 2, 179 (1964)
- А.А. Вайполин, Ф.М. Гашимзаде, Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследов, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Сер. физ. 28, 6, 1085 (1964)
- Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Сер. ЖНМ 1, 6, 885 (1965)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. Письма в ЖТФ 22, 2, 37 (1996)
- Л.Б. Златкин, Ю.Ф. Марков, И.К. Полушина. ФТП 3, 10, 1590 (1969)
- Ф.Д. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах. Физматгиз, Л. (1963)
- Ч. Довлетмурадов, Ю.В. Рудь, А. Алланазаров, М. Сергинов, Э.О. Османов. Изв. АН ТССР. Сер. физ-техн., хим. и геолог. наук 6, 18 (1975)
- А.С. Борщевский, Н.Е. Дагина, А.А. Лебедев, К. Овезов, И.К. Полушина, Ю.В. Рудь. ФТП 10, 6, 1571 (1976)
- А.С. Борщевский, Н.Е. Дагина, А.А. Лебедев, И.К. Полушина, Ю.В. Рудь. ФТП 10, 10, 1905 (1976)
- А.А. Абдурахимов, Ю.В. Рудь, К.В. Санин, М. Сергинов, В.Е. Скорюкин. ЖТФ 53, 2, 325 (1983)
- Ю.В. Рудь, Ю.К. Ундалов, Н.Е. Дагина. ФТП 13, 3, 515 (1979)
- Н.Н. Константинова, М.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП 26, 3, 558 (1992)
- А.Г. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975)
- A. Shileika. Surf. Sci. 37, 3, 730 (1973)
- Н.М. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. ФТП 12, 5, 1566 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
