Представлены результаты первых исследований температурных зависимостей удельной электропроводности и постоянной Холла монокристаллов n-CdGeAs₂, полученных низкотемпературной кристаллизацией. Установлено, что развитый метод обеспечивает получение монокристаллов с концентрацией свободных электронов ~= (1-2)·10¹⁸ cm^-3 и холловской подвижностью ~= 10 000 cm²/(V·s) при T=300 K. Показано, что температурный ход холловской подвижности следует характерному для рассеяния электронов на колебаниях решетки закону, а ниже 150 K наступает отклонение от этого закона, свидетельствующее о росте вклада в рассеяние статических дефектов решетки. Обнаружено, что при 77 K холловская подвижность в полученных кристаллах достигает ~= 36 000 cm²/(V·s). На основе монокристаллов n-CdGeAs₂ созданы фоточувствительные гетеропереходы. Анализируются спектральные зависимости фоточувствительности полученных структур. Сделан вывод о перспективности развитого метода для получения совершенных кристаллов CdGeAs₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.