Диффузионные свойства пластически деформированных кристаллов кремния
Алиев М.А.1, Алиева Х.О.1, Селезнев В.В.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Экспериментально исследовано влияние дислокаций, вводимых в процессе электропластической деформации, на явление электропереноса примесных атомов индия в монокристаллах P-кремния. Установлено, что одновременная с деформацией реализация электродиффузии индия приводит к эффекту преимущественного увлечения ионов примеси в сторону анода.
- М.А. Алиев, Х.О. Алиева, В.В. Селезнев. ФТТ 38, 11, 3372 (1996)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). 382 с
- Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП 29, 5, 937 (1995)
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мейер. Мир, М. (1982). 575 с
- Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. Мир, М. (1975). 684 с
- В.И. Соколов. ФТП 29, 5, 843 (1995)
- М.А. Алиев, В.В. Селезнев. Физика и техника высоких давлений 30, 46 (1989)
- В.А. Стерхов, В.А. Пантелеев, П.В. Павлов. ФТТ 9, 2, 681 (1967)
- О.В. Клявин. ФТТ 35, 3, 513 (1993)
- Я.Е. Гегузин, В.П. Мацокин. УФЖ 26, 4, 612 (1980)
- А.Н. Орлов. ФТТ 22, 12, 3580 (1980)
- Б.В. Петухов. ФТТ 26, 10, 3160 (1984)
- М.И. Молоцкий. ФТТ 30, 6, 1880 (1988)
- В.Я. Кравченко. ФТТ 9, 4, 1050 (1967)
- В.Б. Фикс. ЖЭТФ 80, 6, 2313 (1981)
- Е.Е. Вдовин, А.Ю. Касумов. ФТТ 30, 1, 31 (1988)
- В.Е. Косенко. ФТТ 3, 7, 2102 (1961)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.