Рассмотрены особенности эффекта аномального магнетосопротивления в кристалле теллура при различной размерности носителей заряда p-типа: объемный образец, размерно квантованные аккумулирующие слои на различных кристаллографических поверхностях теллура и кластеры теллура (теллур, внедренный в диэлектрическую матрицу опала). Показано, что во всех случаях эффект может быть интерпретирован в рамках теории слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц при учете особенностей зонного спектра теллура: полностью снятое спиновое вырождение, тригональное искажение спектра, особая роль t-симметрии при междолинном рассеянии. Различия проявления эффекта слабой локализации определяются тем, какой именно из каналов релаксации фазы волновых функций дырок доминирует в том или ином случае. Обсуждается случай, когда время, характеризующее вероятность междолинных переходов, становится сопоставимым с временем релаксации импульса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.