Relaxation into Tunnel Induced Non-equilibrium States in Metal Oxide Semiconductor Structures
Vercik A.1, Faigon A.1
1Devices Physics-Microelectronics Laboratory, Faculty of Engineering, University of Buenos Aires, Paseo Colon 850, () Buenos Aires, Argentina
Email: avercik@fi.uba.ar
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
The relaxation of a Metal Oxide Semiconductor structure from deep depletion towards a tunnel induced non-equilibrium stationary state is addressed in this work. A simple model was constructed, taking into account thermal generation, tunneling of both types of carriers and impact ionization. Experimental results obtained on p- and n-type Si substrates and oxides thinner than 6.5 nm are shown to be well fitted by the proposed model. A map describing the possible behavior patterns for a structure with given oxide thickness and effective generation velocity is presented.
- M.A. Green, J. Schewchun. Solid St. Electron. 17, 349 (1974)
- W.E. Dahlke, J.A. Shimer. Solid St. Electron. 26, 5, 465 (1983)
- S.J. Wang, B.C. Fang, F.C. Tzeng, C.T. Chen, C.Y. Chang. J. Appl. Phys. 60, 3, 1080 (1986)
- B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys. 74, 9, 5638 (1993)
- A. Vercik, A. Faigon. J. Appl. Phys. 84, 1, 329 (1998)
- A.S. Grove. Physics and Technology of Semiconductor Devices. John Wiley \& Sons (1967)
- R. Seiwatz, M. Green. J. Appl. Phys. 29, 7, 1034 (1958)
- C. Chang. C. Hu, R.W. Brodersen. J. Appl. Phys. 57, 2, 302 (1985)
- A. Faigon, F. Campabadal. Solid St. Electron. 39, 2, 251 (1996)
- H.C. Card, E.H. Rhoederick. J. Phys. D4, 1602 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук