Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN
Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Baranov@pop.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Доклад на юбилейной конференции ФТИ им. А.Ф.Иоффе "Physics at the Turn of the 21st Century" посвящен последним исследованиям методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основных примесей в широкозонных полупроводниках SiC и GaN, которые весьма вероятно являются наиболее перспективными материалами для микроэлектроники и квантовой полупроводниковой электроники на пороге 21 века.
- H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
- А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ 27, 2, 322 (1985)
- Н.П. Баран, В.Я. Братусь, А.А. Бугай, В.С. Вихнин, А.А. Климов, В.М. Максименко, Т.Л. Петренко, В.В. Романенко. ФТТ 35, 3135 (1993) и ссылки в ней
- K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
- П.Г. Баранов, В.А. Ветров, Н.Г. Романов и В.И. Соколов. ФТТ 27, 3459 (1985); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Applied Magnetic Resonance 2, 361 (1991); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Materials Science Forum 83--87, 1207 (1992)
- J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Solid State Commun 96, 835 (1996)
- T. Matsumoto, O.G. Poluektov, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B55, 2219 (1997--II)
- Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП 26, 9, 1556 (1992)
- R. Mueller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
- T.L. Petrenko, A.A. Bugai, V.G. Baryakhtar, V.V. Teslenko, V.D. Khavryutchenko. Semicond. Sci. Technol. 9, 1849 (1994)
- P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum. Journal of the Defect Solid State. Scitec Publication Ltd, Trans Tech Group of Publishers, 148--149, p. 129--160. (1997), and references therein
- P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996)
- P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)
- A.v. Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B57, 1607 (1998--I)
- П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 147 (1996)
- A. Hofstaetter, B.K. Meyer, A. Scharmann, P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Materials Science Forum 264--268, 595 (1998)
- П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.А. Храмцов. ФТТ 39, 1, 52 (1997)
- K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
- K. Maier, H.D. Mueller, J. Schneider. Materials Science Forum 83--87, 1183 (1992)
- K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143--147, 93 (1994)
- P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
- K.F. Dombrowski, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B54, 7323 (1996-II)
- J. Baur, M. Kunzer, K.F. Dombrowski, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 12, 933 (1997)
- P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 101, 611 (1997)
- П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 5, (1999)
- P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 103, 291 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
