Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Деформационно-индуцированные спектры фотоотражения в области перехода E₀ на гетероструктурах GaAs/Si и InP/Si

Кузьменко Р.В.¹, Ганжа А.В.¹, Бочурова О.В.¹, Домашевская Э.П.¹, Шрайбер Й.², Хильдебрандт С.², Мо Ш.³, Пайнер Э.³

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

²Fachbereich Physik der Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Halle-Saale, Deutschland
³Institut fur Halbleitertechnik der Technischen Universitat Braunschweig, Braunschweig, Deutschland

Email: phssdl@main.vsu.ru

Поступила в редакцию: 26 сентября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследуется структура спектров фотоотражения (ФО) в области перехода E₀ от тонких (d=1 mum-5 mum) пленок n-GaAs и n-InP (n=10¹⁶ cm^-3-10¹⁷ cm^-3), эпитаксиально выращенных на подложке Si (001). Количественный анализ спектров, проведенный в рамках многокомпонентной подгонки, показывает, что для обеих систем доминирующий вклад в среднеполевую электромодуляционную компоненту соответствует электронному оптическому переходу из подзоны 3/2;±1/2. При этом наблюдаемые в спектрах ФО от системы GaAs/Si "структуры расщепления" в области главного пика спектра объясняются не эффектом расщепления валентной зоны под воздействием механического напряжения, а спектральным наложением среднеполевой компоненты из подзоны 3/2;±1/2 с низкоэнергетической экситонной компонентой. Аналитически установленная энергия перехода E₀^3/2±1/2 используется для расчета биаксиальных напряжений в эпитаксиальных пленках.

D.J. Olego, M. Tamura, Y. Okuno, T. Kawano, A. Hashimoto. J. Appl. Phys. 71, 4329 (1992)
A. Lubnow, G.-P. Tang, H.-H. Wehmann, E. Peiner, A. Schlachetzki. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3628 (1994)
Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. by K.-H. Hellwege, O. Madellung. Landolt-Boernstein, Springer-Verlag, Heidelberg (1984)
M. Sugo, N. Uchida, A. Yamamoto, T. Nishoka, M. Yamaguchi. J. Appl. Phys. 65, 591 (1992)
H.-H. Wehmann, G.-P. Tang, A. Schlachetzki. Solid State Phenomena 32-33, 445 (1993)
G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague. J. Appl. Phys. 66, 196 (1989)
F.H. Pollak. Materials research society 1995 Fall Metting, Boston (1995)
T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsunaga, T. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato, T. Nishino. Phys. Rev. B41, 2936 (1990)
N. Bottka, D.K. Gaskill, R.J.M. Griffiths, R.R. Bradley, T.B. Joyce, C. Ito, D. McIntyre. J. Cryst. Growth 93, 481 (1988)
A. Dimoulas, P. Tzanetakis, A. Georgakilas, O.J. Glembocki, A. Christou. J. Appl. Phys. 67, 4389 (1990)
M. Dutta, H. Shen, S.M. Vernon, T.M. Dixon. Appl. Phys. Lett. 57, 1775 (1990)
S. Mo, E. Peiner, A. Bartels, G.-P. Tang, A. Schlachetzki, R. Kusmenko, S. Hildebrandt, J. Schreiber. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 35, 4238 (1996)
Y. Chen, A. Freundlich, H. Kamada, G. Neu. J. Appl. Phys. 54, 45 (1983)
N. Bottka, D.K. Gaskill, R.S. Sillmon, R. Henry, R. Glosser, J. Electron. Mater. 17, 161 (1988)
Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ 39 12, 2123 (1997)
S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber, Phys. Stat. Sol. (a) 152 1, 147 (1995)
A. Bartels, E. Peiner, R. Klockenbrink, A. Schlachetzki. J. Appl. Phys. 78, 224 (1995)
H. Shen, M. Dutta. J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995)
R. Kusmenko. Dissertation, Martin-Luther-Universitaet, Halle, BRD, 1993
D.E. Aspnes. Surf. Sci. 37, 418 (1973)
R.A. Batchelor, A.C. Brown, A. Hamnett. Phys. Rev. B41, 1401 (1990)
P.L. Jackson, E.G. Seebauer. J. Appl. Phys. 69, 943 (1991)
J.P. Estrera, W.M. Duncan, R. Glosser. Phys. Rev. B49, 1781 (1994)
R.N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutts, H. Aharoni. Phys. Rev. B37, 4044 (1988)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с
C.P. Kuo, S.K. Vong, R.M. Cohen, G.B. Stringellow. J. Appl. Phys. 57, 5428 (1985)
H. Asai, K. Oe. J. Appl. Phys. 54, 45 (1983)
H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. B8, 413 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель