Вышедшие номера
Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и его применение к системе (SnTe--SnSe) : In
Мошников В.А.1, Мошников А.В.1, Немов С.А.2, Парфеньев Р.В.3, Румянцева А.И.1, Черняев А.В.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Разработана надежная методика локального определения химического состава многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов и проверена возможность ее применения к системе четверных твердых растворов SnTe-SnSe, легированных 16 at% In. Изучено поведение электрического сопротивления образцов данных твердых растворов при низких температурах 0.4-4.2 K. Определены критическая температура Tc и второе критическое магнитное поле Hc2 сверхпроводящего перехода и их зависимости от состава твердых растворов. Сверхпроводящий переход с Tc~ 2-3 K обусловлен заполнением дырками резонансных состояний примеси In, наблюдаемое изменение параметров сверхпроводящего перехода при увеличении содержания Se в твердом растворе связывается со взаимным смещением экстремумов валентной зоны и полосы резонансных состояний In.
  1. А.В. Березин, М.К. Житинская, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 34, 4, 1216 (1992)
  2. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН 145, 1, 51 (1985)
  3. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ 28, 4, 1094 (1986)
  4. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП 26, 201 (1992).
  5. R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.A. Shakhov, Zb. Chrapkiewicz. J. of Alloys and Compounds 219, 313 (1995)
  6. R.A. Hein, P.H.E. Meier. Phys. Rev. 179, 2, 497 (1969)
  7. H.R.O'Neal, N.E. Phillips. Phys. Rev. A748, 137 (1965)
  8. H. Miyauchi, T. Nakajima, E. Kanda. J. Phys. Soc. Jpn. 34, 282 (1973.)
  9. С.Г. Конников, А.Ф. Сидоров. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. Энергия, М. (1978). 136 с
  10. Количественный электронно-зондовый микроанализ/ Под ред. В. Скотта, Г. Лава. Мир, М. (1986). 352 с
  11. Л.А. Павлова, Л.Ф. Парадина. Рентгеноспектральный микроанализ и его применение в минералогии. Якутский научный центр СО АН СССР, Якутск (1990). 188 с
  12. В.П. Афонин, В.И. Лебедь. Метод Монте-Карло в рентгеноспектральном микроанализе. Наука, Новосибирск (1989). 150 с
  13. В.А. Мошников, Д.А. Яськов. Рентгеноспектральный микроанализ в физической химии полупроводников. Учеб. пособие. ЛЭТИ, Л. (1986). 48 с
  14. С. Рид. Электронно-зондовый микроанализ. Пер. с англ. Мир, М. (1979). 423 с
  15. А.И. Заславский, Т.Т. Дедегкаев, А.Ф. Сидоров. Графоаналитический микрозондовый анализ тройных систем. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Машиностроение, 17, 163 Л. (1975)
  16. R. Assenov, A. Moshnikov, B. Patarov, D. Yaskov. Cryst. Res. Techn. 22, 10, 1289 (1987)
  17. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. ФТТ 32, 10, 2869 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.