Начальные стадии образования и рост пленок иттрий-бариевого купрата в процессе магнетронного распыления керамической мишени были исследованы посредством сочетания диагностик рассеяния ионов средних энергий (РИСЭ) и сканирующей микроскопии. Были установлены существенные различия в механизмах роста пленок YBa₂Cu₃O_7-x на MgO и на подложках со структурой перовскита - SrTiO₃ и LaAlO₃ для температуры осаждения 700-780^oC и давлении смеси газов (Ar+O₂)~ 70 Pa. Моделирование спектров РИСЭ (ионы H⁺ или He⁺ с начальными энергиями 150-250 keV) и сравнение с экспериментальными данными позволило установить, что в первом случае пленка формируется из пирамидальных островков, а во втором - происходит двумерный послойный рост, начиная практически с первого монослоя. Для островкого механизма роста метод РИСЭ позволил определить степень покрытия поверхности подложки и показать, что наряду с фазой YBa₂Cu₃O_7-x происходит образование эпитаксиальных зародышей фазы Cu₂O. После первого, начального этапа формирования пленки выделяется второй этап - начало регулярного роста при приведенных толщинах 7-15 nm. Для него характерно практически полное покрытие подложки и стабильный состав. Третий этап - регулярный (по-видимому, спиральный) рост - наблюдался при толщинах более 100 nm. На этом этапе качество структуры пленки по толщине и на поверхности несколько уступало качеству монокристаллов YBa₂Cu₃O_7-x и не зависело от типа подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.