Вышедшие номера
Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в квантовые структуры GaAs / AlGaAs
Гусев О.Б.1, Бер Б.Я.1, Бреслер М.С.1, Захарченя Б.П.1, Яссиевич И.Н.1, Хитрова Г.2, Гиббс Х.М.2, Принеас Д.П.2, Линдмарк Э.К.2, Мастеров В.Ф.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центр оптических исследований, Университет штата Аризона, Тусон AZ, США
3Технический государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikhail.bresler@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.