Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в квантовые структуры GaAs / AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Центр оптических исследований, Университет штата Аризона, Тусон AZ, США
3Технический государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Центр оптических исследований, Университет штата Аризона, Тусон AZ, США
3Технический государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikhail.bresler@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.
- Rare Earth Doped Semicond. I / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993)
- Rare Earth Doped Semicond. II / Ed. S. Coffa, A. Polman, R.N. Schwartz. Materials Research Society, Pittsburgh (1996)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. 4-е изд., пер. Наука, М. (1978) Табл. 3.1
- J.E. Colon, D.W. Elsaesser, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, G.S. Pomrenke. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 251
- T. Zhang, J. Sun, N.V. Edwards, D.E. Moxey, R.M. Kolbas, P.J. Caldwell. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 257
- W.D. Laidig, N. Holonyak, M.D. Camras, K. Hess, J.J. Coleman, P.D. Dapkus, J. Bardeen. Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981)
- D.G. Deppe, N. Holonyak. J. Appl. Phys. 64, R93 (1988)
- Я.И. Френкель. Собрание избранных трудов. Т. III. Кинетическая теория жидкостей. Изд. АН СССР (1959). С. 18
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972)
- E. Alves, M.F. Da Silva, A.A. Melo, J.C. Soares, G.N. van den Hoven, A. Polman, K.R. Evans, C.R. Jones. In: Rare Earth Doped Semiconductors / Ed. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Materials Research Society, Pittsburgh (1993). P. 175
- W.E. Wallace. Rare Earth Intermetallics. Academic Press, N. Y. (1973). P. 34, P. 58
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
